【技术实现步骤摘要】
一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置
[0001]本技术属于刻蚀工艺
,具体涉及一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置。
技术介绍
[0002]目前,随着近年来第三代存储器——磁存储器(MRAM)的不断发展和集成度的不断提高,对金属栅极材料(如Model、Ta等)和高k栅介电材料(如Al2O3、HfO2和ZrO2等)等新型非挥发性材料的干法刻蚀需求不断增加,解决非挥发性材料在干法刻蚀过程中产生的侧壁沉积和颗粒沾污,同时提高等离子体处理腔室的清洗工艺效率是十分必要的。
[0003]陶瓷介质窗加热是减少沉积的重要手段,通常采用Kapton加热器进行陶瓷介质窗加热,但是随之而来的匀温问题又成为需要解决的难点,尤其是中心和边缘区域温度的控制。
[0004]现有技术中,采用Kapton加热器对陶瓷介质窗进行加热,陶瓷介质窗的上表面绑定这Kapton 加热器,在Kapton加热器上方为激励射频线圈,激励射频线圈位于屏蔽罩内部,为了在Kapton加热器对陶瓷介质窗进行加热过程中实现控温及匀温,通常采用的结构设计时在Kapton ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置,所述介质窗(002)上方设置有加热器(009),且所述介质窗(002)顶部罩设有屏蔽罩(008),其特征在于:所述匀温装置包括至少两个散热风扇(011)和至少两个散热风扇屏蔽罩(010),其中:所述散热风扇(011)安装在所述散热风扇屏蔽罩(010)内部,每个所述散热风扇(011)的出风面均朝向所述加热器(009)中心区域;每个所述散热风扇屏蔽罩(010)的朝向所述屏蔽罩(008)顶面中心点的一端与所述屏蔽罩(008)铰接;所述散热风扇屏蔽罩(010)底面所在平面始终与所述介质窗(002)所在平面相交;所述散热风扇屏蔽罩(010)底面与所述介质窗(002)中垂线之间夹角为A,A<90
°
。2.根据权利要求1所述的一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置,其特征在于:还包括连接部(005),所述连接部(005)一端与所述屏蔽罩(008)固接,另一端与所述散热风扇屏蔽罩(010)的远离所述屏蔽罩(008)顶面中心点的另一端固接。3.根据权利要求1所述的一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置,其特征在于:在所述屏蔽罩(008)的顶壁上设有安装孔,所述安装孔和所述散热风扇屏蔽罩(010)的远离所述屏蔽罩(008)顶面中心点的另一端对应设置。4.根据权利要求3所述的一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置,其特征在于:还包括至少两个安装板(003)、至少两个调节螺钉(020)以及至少两个调节螺母(004),其中:所述安装板(003)设置于所述散热风扇屏蔽罩(010)的远离所述屏蔽罩(008)顶面中心...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘海洋,郭颂,刘小波,张瑶瑶,王铖熠,张霄,胡冬冬,许开东,
申请(专利权)人:北京鲁汶半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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