【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]等离子体处理装置利用真空反应腔的工作原理进行半导体基片(晶圆)和等离子平板基片的加工。真空反应腔的工作原理为在真空反应腔内通入适当的反应气体，然后向所述真空反应腔内进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。
[0003]在半导体基片进行等离子刻蚀的过程中，通常希望将等离子体及射频能量限制在有限的刻蚀反应区域内。但等离子体处理装置内部构件复杂多样，其内金属构件也较多，射频能量很容易沿着导电通路导出，从而引起刻蚀反应区域内的射频损失，导致真空反应腔内部的射频环境不均衡，影响基片刻蚀的均匀性。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置，其采用驱动装置和绝缘支撑杆驱动接地环升降，进而带动静电夹盘上下移动，所述绝缘支撑杆避免了射频电流沿接地环、绝缘支撑杆线路导出，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：真空反应腔，其内底部设有基座；静电夹盘，位于所述基座上，其包括承载面，用于承载待处理基片；接地环，设置于所述静电夹盘下方，以支撑所述静电夹盘；驱动单元，与所述接地环连接以驱动所述接地环上下移动，进而带动所述静电夹盘上下移动；所述驱动单元包含：若干个驱动装置，用于提供驱动力，各个所述驱动装置与一连接桥连接；若干个绝缘支撑杆，其一端与所述接地环连接，另一端与所述连接桥连接。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地环和/或所述连接桥开设有若干个通孔，所述绝缘支撑杆包含杆中部和两个杆端部，所述杆中部直径大于所述通孔的直径，所述杆端部为多级台阶结构，所述杆端部包含：一级台阶杆，其与所述杆中部连接，所述一级台阶杆的直径小于所述通孔的直径，以便穿过所述通孔；二级台阶杆，其与所述一级台阶杆连接，所述二级台阶杆的直径大于所述一级台阶杆的直径且小于所述通孔的直径。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述绝缘支撑杆通过机械紧固装置与所述接地环和/或所述连接桥连接，所述机械紧固装置包含：拼合螺母，其由若干个螺母分段拼接而成，所述拼合螺母抱合在所述一级台阶杆上，所述拼合螺母的长度和内径与所述一级台阶杆伸出通孔部分的长度和直径相匹配，所述拼合螺母的外径大于所述通孔的直径，所述拼合螺母设有外螺纹，其设置有若干个凸脚，所述通孔内壁开设有若干个与所述凸脚形状相对应的凹槽，以使所述凸脚卡进所述凹槽内；紧固螺母，其设有内螺纹，所述内螺纹与所述拼合螺母的外螺纹连接。4.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅时梁，黄允文，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。