微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法制造方法及图纸

本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；及导电轨，其横向邻近于所述堆叠结构的所述导电结构。所述导电轨包括不同于所述堆叠结构的所述导电结构的材料组成的材料组成。组成的材料组成。组成的材料组成。

【技术实现步骤摘要】
微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求2020年8月11日提交的第16/990,580号美国专利申请“包含导电轨的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法(Microelectronic Devices Including Conductive Rails,and Related Memory Devices,Electronic Systems,and Methods)”的提交日的权益。


[0003]在各种实施例中，本公开总体上涉及微电子装置设计和制造领域。更确切地说，本公开涉及包含邻近导电层中的导电结构的导电轨的微电子装置和设备，并涉及相关存储器装置、电子系统和微电子装置形成方法。

技术介绍

[0004]微电子行业的持续目标是增加例如非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置)的存储器装置的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器单元数目)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用竖直存储器阵列(也被称作“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规的竖直存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及导电轨，其横向邻近于所述堆叠结构的所述导电结构，所述导电轨包括不同于所述堆叠结构的所述导电结构的材料组成的材料组成。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电轨与所述导电结构直接物理接触，所述导电轨水平地延伸超过所述绝缘结构的水平边界。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电轨包括导电材料的T形轨，所述T形轨的第一部分定位成横向地超过所述绝缘结构的外侧壁，且所述T形轨的第二部分竖直位于所述绝缘结构的各部分之间，所述第二部分具有基本上等于所述导电结构的高度的高度。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电轨具有比所述导电结构大的电导率。5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其中：所述导电轨进一步包括磷、砷、锑、铋、硼、铝、镓、碳、氟、氯、溴和氩中的一或多个；且所述堆叠结构的所述导电结构基本上不含氟。6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括在所述绝缘结构和所述导电结构之间的导电衬里材料，其中所述导电轨包括钨，且所述导电衬里材料包括氮化钛。7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括在所述绝缘结构和所述导电结构之间且与其直接接触的介电阻隔材料。8.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括在延伸穿过所述堆叠结构的替换栅极槽内的介电材料，其中横向邻近于所述绝缘结构的所述介电材料的横向尺寸大于横向邻近于所述导电轨的所述介电材料的横向尺寸。9.一种存储器装置，其包括：堆叠结构，其包括交替的导电结构和绝缘结构的层；导柱，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，每一导柱包括沟道结构，所述沟道结构包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的半导电材料；以及导电轨，其沿着所述堆叠结构的所述导电结构和所述绝缘结构的侧壁竖直延伸，所述导电轨具有比所述导电结构大的电导率。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述堆叠结构的所述导电结构相对接近所述导柱，且所述导电轨相对远离所述导柱，所述导电结构由具有第一材料组成的导电材料形成，且所述导电轨由具有不同的第二材料组成的另一导电材料形成。11.根据权利要求9或权利要求10所述的存储器装置，其进一步包括上覆于所述堆叠结构的数据线结构和下伏于所述堆叠结构的源极结构，所述导柱电连接到所述数据线结构和所述源极结构。12.根据权利要求9或权利要求10所述的存储器装置，其中所述导电轨沿着竖直相邻对
的所述绝缘结构的所述侧壁的部分竖直延伸。13.根据权利要求9或权利要求10所述的存储器装置，其中所述导电轨各自分别展现等于或大于所述堆叠结构中的每一个所述导电结构的高度的高度。14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：