半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成第一材料层和第二材料层交替层叠的层叠体，形成穿过层叠体的沟道结构，通过去除第一材料层形成开口，在开口中形成非晶阻挡层，以及执行第一热处理工艺以通过开口提供氘并且用氘置换沟道结构中的氢。换沟道结构中的氢。换沟道结构中的氢。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本公开的各个实施方式总体上涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]近来，随着包括以单层形成在基板上的存储器单元的二维存储装置的集成度的提高已达到收益递减(diminishing return)，已经提出了包括在垂直方向上层叠在基板上的存储器单元的三维存储器装置。此外，为了提高具有三维结构的存储器装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。

技术实现思路

[0003]本公开的各个实施方式涉及一种具有稳定的结构和提高的操作特性的半导体装置及其制造方法。
[0004]本公开的一个实施方式可以提供一种制造半导体装置的方法。该方法可以包括以下步骤：形成第一材料层和第二材料层交替层叠的层叠体，形成穿过层叠体的沟道结构，通过去除第一材料层形成开口，在开口中形成非晶阻挡层，以及执行第一热处理工艺以通过开口提供氘并且用氘置换沟道结构中的氢。
[0005]本公开的一个实施方式可以提供一种半导体装置。半导体装置可以包括交替层叠的导电层和绝缘层的层叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成第一材料层和第二材料层交替层叠的层叠体，形成穿过所述层叠体的沟道结构；通过去除所述第一材料层形成开口；在所述开口中形成非晶阻挡层；以及执行第一热处理工艺以通过所述开口提供氘并用所述氘置换所述沟道结构中的氢。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述第一热处理工艺，所述沟道结构中的Si
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H键改变为Si
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D键，并且N
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H键改变为N
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D键。3.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在执行所述第一热处理工艺之前，执行第二热处理工艺以用于使所述非晶阻挡层结晶。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在比执行所述第二热处理工艺的温度低的温度下执行所述第一热处理工艺。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一热处理工艺在600℃至1000℃的温度下执行；并且所述第二热处理工艺在900℃至1100℃的温度下执行。6.根据权利要求3所述的方法，其中，通过所述第二热处理工艺使所述非晶阻挡层部分结晶；并且通过所述第一热处理工艺使经部分结晶的阻挡层结晶。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一热处理工艺在600℃至1000℃的温度下执行。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一热处理工艺在0.1atm至5atm的压力下执行。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一热处理工艺执行0.01Hr至10Hr。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一热处理工艺提供1slm到10slm的D2气体。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一热处理工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩大熙，金成淳，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：