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本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成第一材料层和第二材料层交替层叠的层叠体，形成穿过层叠体的沟道结构，通过去除第一材料层形成开口，在开口中形成非晶阻挡层，以及执行第一热处理工艺以通过开口提供氘并且用...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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