具有加强件的半导体封装件制造技术

一种半导体封装件，包括：基板；半导体堆叠件，所述半导体堆叠件安装在所述基板上；以及加强件，所述加强件围绕所述半导体堆叠件，所述加强件的上表面的边缘具有八边形形状。从所述基板的上表面的一个角点到所述加强件的最小距离是基于所述基板的厚度确定的。小距离是基于所述基板的厚度确定的。小距离是基于所述基板的厚度确定的。

【技术实现步骤摘要】
具有加强件的半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0103278的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的示例性实施例涉及一种具有加强件(stiffener)的半导体封装件。

技术介绍

[0004]根据对半导体器件的高度集成和小型化的需求，半导体器件的尺寸正在缩小。另外，半导体封装件需要处理大量数据。为此，应用了安装有多个半导体芯片的半导体封装结构。
[0005]同时，根据半导体器件的高集成度和高性能，会从这种半导体器件散发过多的热。因此，在半导体封装件中可能发生翘曲现象。结果，可能存在无法将半导体封装件安装在基板上的问题。

技术实现思路

[0006]本公开的示例性实施例提供了一种能够减少翘曲现象的半导体封装件。
[0007]根据本公开的示例性实施例的半导体封装件包括：基板；半导体堆叠件，所述半导体堆叠件安装在所述基板上；以及加强件，所述加强件围绕所述半导体堆叠件，所述加强件的上表面的边缘具有八边形形状，并且从所述基板的上表面的一个角点到所述加强件的最小距离是基于所述基板的厚度确定的。
[0008]根据本公开的示例性实施例的半导体封装件包括：基板；半导体堆叠件，所述半导体堆叠件安装在所述基板上；以及加强件，所述加强件围绕所述半导体堆叠件，从所述基板的上表面的一个角点到所述加强件的最小距离是所述基板的厚度的3.5倍或更多倍，并且所述加强件的宽度为所述基板的厚度的20％以上。
[0009]根据本公开的示例性实施例的半导体封装件包括：基板；半导体堆叠件，所述半导体堆叠件安装在所述基板上；加强件，所述加强件围绕所述半导体堆叠件；第一热传递材料，所述第一热传递材料设置在所述基板与所述加强件之间；散热板，所述散热板设置在所述加强件上，所述散热板覆盖所述半导体堆叠件；第二热传递材料，所述第二热传递材料设置在所述加强件与所述散热板之间；散热器，所述散热器设置在所述散热板上；以及第三热传递材料，所述第三热传递材料设置在所述散热板与所述散热器之间，从所述基板的上表面的一个角点到所述加强件的最小距离是所述基板的厚度的10.5倍，并且所述加强件的宽度为所述基板的厚度的20％以上。
附图说明
[0010]图1是根据示例性实施例的半导体封装件的俯视图；
[0011]图2A和图2B是沿着根据图1中所示的示例性实施例的半导体封装件中的线I
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I
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截取的截面图；
[0012]图3至图5分别是根据示例性实施例的半导体封装件的俯视图；
[0013]图6至图8是根据示例性实施例的半导体封装件的俯视图；和
[0014]图9至图12是根据示例性实施例的半导体封装件的俯视图。
具体实施方式
[0015]图1是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的俯视图。图2A和图2B是沿着根据图1中所示的示例性实施例的半导体封装件中的线I
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I
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截取的截面图。
[0016]参照图1和图2A，半导体封装件100可以包括基板110、基板连接端子120、半导体堆叠件130和加强件140。基板110的上表面的边缘可以具有四边形形状。例如，基板110的上表面的边缘可以具有正方形形状，如图1所示。或者，基板110的上表面的边缘可以具有矩形形状。基板110的上表面的边缘可以包括角点(angular point)P1。基板110可以包括下焊盘112、上焊盘114和外部连接端子116。在示例实施例中，基板110可以是印刷电路板、柔性印刷电路板(FPCB)、硅基基板、陶瓷基板、玻璃基板和绝缘电路板之一。
[0017]每个下焊盘112和每个上焊盘114可以分别设置在基板110的下表面处和上表面处。例如，上焊盘114的上表面可以与基板110的上表面共面，下焊盘112的下表面可以与基板110的下表面共面。下焊盘112可以电连接到上焊盘114。外部连接端子116可以设置在基板110的下表面处，同时分别连接到下焊盘112。例如，每个外部连接端子116可以接触相应一个下焊盘112。在示例实施例中，下焊盘112和上焊盘114可以包括Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Pd、Pt、Au和Ag中的至少一种。每个外部连接端子116可以是焊球或焊块。
[0018]在本文在涉及方向、布局、位置、形状、大小、数量或其他度量时使用的诸如“相同”、“相等”或“共面”的术语不一定表示完全相同的方向、布局、位置、形状、大小、数量或其他度量，而是旨在涵盖在例如由于制造工艺而可能发生的可接受的变化内的几乎相同的方向、布局、位置、形状、大小、数量或其他度量。除非上下文或其他陈述另有指出，否则术语“基本上”在本文中可以用来强调该含义。例如，被描述为“基本上相同”或“基本上相等”的项可以完全相同或相等，也可以在例如由于制造工艺而发生的可接受的变化内相同或相等。除非上下文另外指出，否则本文中使用的术语“接触”是指直接连接(即，触碰)。
[0019]基板连接端子120可以设置在基板110上。半导体堆叠件130可以经由基板连接端子120安装在基板110上。每个基板连接端子120可以接触相应一个上焊盘114。例如，基板连接端子120可以分别连接到上焊盘114。基板连接端子120可以将基板110和半导体堆叠件130电连接。基板连接端子120可以包括Sn、In、Bi、Sb、Cu、Ag、Au、Zn和Pb中的至少一种。
[0020]半导体堆叠件130可以包括中介层(interposer)132、第一半导体芯片134和第二半导体芯片136。中介层132可以是硅(Si)中介层。中介层132中可以包括穿硅通路。例如，中介层132可以包括再分布层。再分布层可以包括电连接基板连接端子120与半导体芯片134和136的导电性再分布图案，并且可以包括覆盖再分布图案的绝缘钝化层。
[0021]第一半导体芯片134和第二半导体芯片136可以设置在中介层132上。两个第一半导体芯片134可以被设置为在第一水平方向D1上彼此间隔开预定距离。四个第二半导体芯片136可以设置在每个第一半导体芯片134周围。例如，四个第二半导体芯片136可以设置在
第一半导体芯片134的一侧，同时在第一水平方向D1上彼此对准。类似地，四个第二半导体芯片136可以设置在第一半导体芯片134的另一侧，同时在第一水平方向D1上彼此对准。设置在第一半导体芯片134的一侧的第二半导体芯片136和设置在第一半导体芯片134的另一侧的第二半导体芯片136可以在第二水平方向D2上彼此对准。
[0022]每个第一半导体芯片134可以包括诸如微处理器或微控制器的应用处理器(AP)芯片，或者诸如中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、调制解调器、专用集成电路(ASIC)或现场可编程门阵列(FPGA)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：基板；半导体堆叠件，所述半导体堆叠件安装在所述基板上；以及加强件，所述加强件围绕所述半导体堆叠件，所述加强件的上表面的边缘具有八边形形状，其中，从所述基板的上表面的一个角点到所述加强件的最小距离是基于所述基板的厚度确定的。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述最小距离是所述基板的厚度的3.5倍或更多倍。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述最小距离是所述基板的厚度的10.5倍。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强件包括：第一边框，所述第一边框被设置为与所述基板的边缘对准；以及第二边框，所述第二边框将所述第一边框彼此连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强件的刚度等于或大于所述基板的刚度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强件的厚度等于或大于所述基板的厚度的20％。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加强件的高度等于所述基板的厚度的100％至200％。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当在俯视图中观察时，所述加强件的外侧壁与所述基板的边缘间隔开。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述最小距离是从所述基板的所述角点延伸到所述加强件的所述上表面的所述边缘的垂线的长度。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：第一热传递材料，所述第一热传递材料设置在所述基板与所述加强件之间。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：散热板，所述散热板设置在所述加强件上，所述散热板覆盖所述半导体堆叠件。12.一种半导体封装件，包括：基板；半导体堆叠件，所述半导体堆叠件安装在所述基板上；以及加强件，所述加强件围绕所述半导体堆叠件，其中，从所述基板的上表面的一个角点到所述加强件的最小距离是所述基板的厚度的3.5倍或更多倍，并且其中，所述加强件的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳翰成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：