【技术实现步骤摘要】
一种光刻系统、基片交接系统及曝光方法
[0001]本专利技术涉及一种光刻系统,尤其是针对半导体基片的光刻系统、基片交接系统及曝光方法。
技术介绍
[0002]光刻系统是用于制作集成电路芯片的重要组成部分,其用于在半导体基片上曝光转印集成电路芯片所需的图形。而集成电路芯片相较于印刷电路板而言,对于光刻系统的定位精度和分辨率等指标要求更高。
[0003]目前,半导体材料及特殊陶瓷材料制成的基片实现图形的曝光转印通常利用掩模板,首先在掩模板上制作需要的图形,然后将掩模板置于基片的上方,曝光机构产生的光线通过掩模板透射到基片,从而将掩模板的图像转印到基片上。通过掩模板实现曝光转印的方式,需要根据不同的曝光图形制作不同的掩模板,掩模板精度要求高,制作周期长,且储存条件要求高,导致成本很高。同时,使用掩模板,导致对位效率低,过程复杂,较难实现一次曝光多个基片,且产能无法满足日益增长的应用需求量的提升。
[0004]此外,市面上最常见的单片式单台面光刻机由于其每次仅能够完成一个基片的上料与光刻处理,其产能已完全无法满足需求 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻系统,其包括曝光机构和对位机构,其特征在于:所述光刻系统还包括工作台,所述工作台包括至少两个容置槽,所述容置槽用于承载基片,所述对位机构用于对置于所述容置槽的基片进行对位处理,所述曝光机构对置于所述容置槽的基片进行直写曝光处理。2.根据权利要求1所述的光刻系统,其特征在于:所述容置槽呈M行N列的矩阵式排列,所述M和N为自然数。3.根据权利要求2所述的光刻系统,其特征在于:所述M和N为2的倍数。4.根据权利要求3所述的光刻系统,其特征在于:所述工作台替换为M/2行N/2列容置槽工作台,所述M/2行N/2列中单个容置槽的直径为M行N列中容置槽中单个容置槽直径的两倍。5.根据权利要求1所述的光刻系统,其特征在于:所述对位机构包括置于所述工作台上方的对位相机。6.根据权利要求1所述的光刻系统,其特征在于:所述对位机构包括置于所述工作台下方的视觉测试模块。7.根据权利要求1所述的光刻系统,其特征在于:所述曝光机构包括若干个曝光镜头,相邻的所述曝光镜头错位排列。8.根据权利要求1所述的光刻系统,其特征在于:所述工作台包括第一工作台和第二工作台,所述第一工作台和所述第二工作台置于所述曝光机构的两侧,分别移动至曝光机构进行曝光操作。9.根据权利要求8所述的光刻系统,其特征在于:对应于所述第一工作台和所述第二工作台,在所述曝光机构两侧分别设置第一对位机构和第二对位机构,所述第一对位机构用于对所述第一工作台上的基片进行对位,所述第二对位机构对所述第二工作台的基片进行对位。10.一种应用于权利要求1-7任一项所述的光刻系统的基片交接系统,其特征在于:所述基片交接系统包括片库、预处理台、中转台、上片机械手、中转机...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘栋,胡传武,张雷,李伟成,
申请(专利权)人:苏州源卓光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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