光刻机曝光系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种光刻机曝光系统，包括由上往下依次设置的DMD微反射镜及成像组件，DMD微反射镜的镜面相对曝光面呈倾斜设置。与现有技术相比，本实用新型专利技术的光刻机曝光系统借助DMD微反射镜的镜面相对曝光面呈倾斜设置，从而使得DMD像素间距依倾斜角度正向投影后再配合物距兼容性较高的成像组件，即可成功缩减DMD像素正向尺寸，从而实现曝光面线宽精度的提升。度的提升。度的提升。

【技术实现步骤摘要】
光刻机曝光系统


[0001]本技术涉及PCB板曝光设备领域，尤其涉及一种光刻机曝光系统。

技术介绍

[0002]现有光刻机的原理是在DMD微反射镜上排出线路图，配合UV光，经由成像系统投影至曝光面，进而在光感材料上曝出设计的线路。其中，高精度细线宽需求在半导体及PCB领域中有着越来越重要的地位。
[0003]请参考图1，传统DMD微反射镜的镜面安装方式与曝光面平行，将DMD微反射镜上的画面垂直投射在曝光面上，因此DMD像素的尺寸将是曝光线宽的决定性因子。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。当DMD像素的正向尺寸减小时，即可成功缩减曝光面线宽，从而实现曝光面线宽精度的提升。
[0004]因此，急需要一种提高曝光面线宽精度的光刻机曝光系统来克服上述缺陷。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种提高曝光面线宽进度的光刻机曝光系统。
[0006]为实现上述目的，本技术的光刻机曝光系统包括由上往下依次设置的DMD微反射镜及成像组件，所述DMD微反射镜的镜面相对曝光面呈倾斜设置。
[0007]较佳地，所述DMD微反射镜的镜面与曝光面之间的夹角为30
°‑
60
°
。
[0008]较佳地，所述DMD微反射镜的镜面与曝光面之间的夹角为30
°
、45
°
或者60
°
。
[0009]与现有技术相比，本技术的光刻机曝光系统借助DMD微反射镜的镜面相对曝光面呈倾斜设置，从而使得DMD像素间距依倾斜角度正向投影后再配合物距兼容性较高的成像组件，即可成功缩减DMD像素正向尺寸，从而实现曝光面线宽精度的提升。
附图说明
[0010]图1是现有的光刻机曝光系统的简化示意图。
[0011]图2是本技术的光刻机曝光系统的简化结构示意图。
具体实施方式
[0012]为了详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征，以下结合实施方式并配合附图作进一步说明。
[0013]请参阅图2，本技术的光刻机曝光系统100包括由上往下依次设置的DMD微反射镜1及成像组件2，DMD微反射镜1的镜面相对曝光面呈倾斜设置。可理解的是，曝光面指的是PCB所需要曝光的平面。具体地，DMD微反射镜1的镜面与曝光面之间的夹角为30
°‑
60
°
。更具体地，于本实施例中，DMD微反射镜1的镜面与曝光面之间的夹角为45
°
。当然，于其他实施例中，DMD微反射镜1的镜面与曝光面之间的夹角为30
°
、35
°
、40
°
、50
°
、55
°
或者60
°
，故不以此为限。
[0014]结合附图，对本技术的光刻机曝光系统100的工作原理进行说明：DMD像素间距如图2所示为P，当DMD微反射镜1倾斜设置时，DMD像素间距P的正向投影变窄，变窄后的DMD像素间距P
’
经过成像组件2中最后曝光于PCB的曝光面上，从而减小线宽，达到提高线宽精度的要求。
[0015]与现有技术相比，本技术的光刻机曝光系统100借助DMD微反射镜1的镜面相对曝光面呈倾斜设置，从而使得DMD像素间距P依倾斜角度正向投影后其正向尺寸缩小为P
’
后再配合物距兼容性较高的成像组件2，即可成功缩减DMD像素正向尺寸P，从而实现曝光面线宽精度的提升。
[0016]以上所揭露的仅为本技术的较佳实例而已，不能以此来限定本技术之权利范围，因此依本技术权利要求所作的等同变化，均属于本技术所涵盖的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻机曝光系统，其特征在于，包括由上往下依次设置的DMD微反射镜及成像组件，所述DMD微反射镜的镜面相对曝光面呈倾斜设置，所述DMD微反射镜的镜面与曝光面之间的夹角为30
°‑
60
°<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭党委，胡雅文，吴明仓，
申请(专利权)人：广东思沃激光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：