移载容器的容置室结构制造技术

技术编号:3240010 阅读:215 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种移载容器的容置室结构,特别是指一种供利用添加物控制移载容器内部环境的容置室结构,该移载容器包含一底座及一壳罩,壳罩可选择性覆盖于底座上形成一置放物件的容置空间,且壳罩是由一外壳与一对应容置空间的内衬所组成,其是于内衬上设有至少一供容设添加物的填充部,该填充部周缘并形成有复数通孔与容置空间连通,供利用通孔使填充部内的添加物可与容置空间内环境产生反应,以消除或吸收或中和该移载容器内部因容器本身或制程因素所释出的有害物质,使得本实用新型专利技术具有提升该移载容器内部洁净度的功效。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于控制置放光罩或晶圆等容器内部环境的技术 领域,特别是涉及一种可于内部设置添加物,以吸收、消除或中和环境中 有害物质的供改善或维持紧临光罩或晶圓的容置空间的洁净度的移载容器 容置室结构。 '
技术介绍
按,在半导体制程中,环境中的微粒、水气或各种溶剂所释出的有害物质等,会直接影响到对于产出的良率,而为了处理这些有害物质,厂商需另外额外的清洗或重制流程,而增加其营运的成本,为了解决这个问题,一 般半导体制程需在极高等级的无尘室中进行,但受到电子产品不断朝向轻薄短小、高频、高效能等特性发展的影响,用于电子产品中的核心晶片就 必需更进一步的微小化与高效能化,而欲使晶片微小化与具高效能则需使 晶片上的集成电路线径微细化,以容入更多的集成电路及元件,因此现有的集成电路线径已由早期的0.25微米往90~45纳米等制程发展,再加上晶 圓尺寸已由8英寸进展到12英寸,当其发生不良品时所造成的损害更是惊 人,因此传统上单纯在无尘室进行的制程已渐渐无法满足这种高洁净度的 要求;为此,业界开发有如美国专利第US 4,532,970号与美国专利第US 4,534,389号的晶圆、光罩密闭移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移载容器的容置室结构,该移载容器用于放置半导体制程的晶圆与光罩等物件,其特征在于其包含:一底座,其是用以承托一物件;一壳罩,其可选择性结合于该底座的上方,该壳罩结合于底座上时形成有一容置空间,又壳罩具至少一可选择性启闭的填充部,填充部周缘并形成有复数与前述容置空间连通的通孔;及至少一添加物,其是设于前述壳罩的填充部内,该添加物为供吸收、消除、中和前述容置空间内有害物质的物质,且添加物不致直接与容置空间内部的物件接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:廖莉雯陈俐慇卢诗文蔡铭贵
申请(专利权)人:亿尚精密工业股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

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