本实用新型专利技术涉及一种移载容器的容置室结构,特别是指一种供利用添加物控制移载容器内部环境的容置室结构,该移载容器包含一底座及一壳罩,壳罩可选择性覆盖于底座上形成一置放物件的容置空间,且壳罩是由一外壳与一对应容置空间的内衬所组成,其是于内衬上设有至少一供容设添加物的填充部,该填充部周缘并形成有复数通孔与容置空间连通,供利用通孔使填充部内的添加物可与容置空间内环境产生反应,以消除或吸收或中和该移载容器内部因容器本身或制程因素所释出的有害物质,使得本实用新型专利技术具有提升该移载容器内部洁净度的功效。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于控制置放光罩或晶圆等容器内部环境的技术 领域,特别是涉及一种可于内部设置添加物,以吸收、消除或中和环境中 有害物质的供改善或维持紧临光罩或晶圓的容置空间的洁净度的移载容器 容置室结构。 '
技术介绍
按,在半导体制程中,环境中的微粒、水气或各种溶剂所释出的有害物质等,会直接影响到对于产出的良率,而为了处理这些有害物质,厂商需另外额外的清洗或重制流程,而增加其营运的成本,为了解决这个问题,一 般半导体制程需在极高等级的无尘室中进行,但受到电子产品不断朝向轻薄短小、高频、高效能等特性发展的影响,用于电子产品中的核心晶片就 必需更进一步的微小化与高效能化,而欲使晶片微小化与具高效能则需使 晶片上的集成电路线径微细化,以容入更多的集成电路及元件,因此现有的集成电路线径已由早期的0.25微米往90~45纳米等制程发展,再加上晶 圓尺寸已由8英寸进展到12英寸,当其发生不良品时所造成的损害更是惊 人,因此传统上单纯在无尘室进行的制程已渐渐无法满足这种高洁净度的 要求;为此,业界开发有如美国专利第US 4,532,970号与美国专利第US 4,534,389号的晶圆、光罩密闭移转系统,以确保周圓环境的微粒、水气或 有害物质不致进入紧邻光罩与晶圓的环境中。但半导体制程中,不论是清洗、制作、溅镀、黄光微影或蚀刻等,其均需使用到很多的溶剂,再加上这些密封移转系统本身材质会释出有害物 质,以其中光罩为例,造成光罩污损的原因除了微粒外,更进一步包含环 境中的水气、有毒气体、塑胶制移载容器所释出的硫化物和制作光罩制程 中残留或是光軍上图形材质本身释出的氨(NH4+)、以及光軍清洗过程中残 留的化学分子等有害物质,以结晶为例,其化学式为(NH4)2S04 ,此一 结晶物由前述不同原因释出的氨(NH4+)及硫酸根离子(S042"经高能量 光源与环境水气等化合而成,因此经常发生光罩于清洗后,再经一段时间 的储存后,只要一经黄光微影制程中的紫外线照射曝光就会产生结晶的现象;而造成此一问题的主要原因来自于储存容器的气密性不足,使移载容器外的环境空气中的微粒、水分子不断的渗入,再加上容器本身使用材质 或制程或清洗所释出的有害物质,进而提供其化学反应所需的元素。造成 有害物质附着于光罩正反两面与光罩护膜表面。又光罩护膜主要是以铝框 为主,其需进行铝合金的疏酸阳极处理,使铝框表面产生硫酸根离子残留 的问题。故为了解决这些问题,业界开发有在光罩的移载容器内加设不锈钢内 罩,除了能产生静电导出的功效外,并可用以吸收塑胶材质所释出的硫化 物,同时在移载容器上加装充、填气结构,用以将干净的惰性气体注入该 移栽容器内,可挤出移栽容器内的有害气体,并进一步提升该移载容器的 气密性,以防止外部微粒进入、且防止干净的惰性气体流失。但在移载容器的结构上进行气密性的改良是一项重大的工程,不仅需 要增加开发、制模与组装的成本,且受到材质、盖合力量与盖合接触面积 等因素的影响,移载容器并无法达到完全气密的效果,因此移载容器内的 气体仍然会渐渐向外流失,由于微粒与水分子极小,因此移载容器在经长 时间储存后,外部环境中如微粒与水分子等有害物质仍会渐渐渗入该移载 容器内部,而失去维持光罩洁净度的作用。再者移载容器与光罩图形因其 使用的材质中存在有硫、氨等有害物质,这些有害物质会不断的释出,一 但时间较久之后,这些有害物质会影响到移载容器内部的光罩,其一样会 造成光罩与光罩护膜的污损、雾化与结晶等,进一步影响到后续晶圓加工 的良率、产量与成本。换言之,如能在改善移栽容器的气密性、充气效果外,开发一种去除 移栽容器内部环境中有害物质的方法,则不仅可提升或延长移栽容器的洁净度,且可降低前述移栽容器有关气密性与充气设计的成本,进一步可减 少光罩等清洗或图形重制的时间与费用,而能降低其营运成本。缘是,本技术为满足上述一般业者对放置光罩或晶圓等移载容器 的要求,乃借由本设计人长期从事相关产业的研发与制作的经验,经不断 努力研究与试作,终于成功的开发出一种移载容器的容置室结构,而能有 效的减少移载容器欲排除有害物质的改良成本,进一步控制移栽容器内部 紧临光罩或晶圆的环境条件。
技术实现思路
本技术的目的在于,克服现有技术存在的缺陷,而提供一种新型 的移栽容器的容置室结构,所要解决的技术问题是借由置于容置室结构内 的添加物吸收、中和或消除环境中的有害物质,供提升该移栽容器内部环 境的洁净度,非常适于实用。本技术的另一目的在于,提供一种新型的移载容器的容置室结构,所要解决的技术问题是使得使用者进一 步可利用该容置室结构来控制移载 容器内部的环境条件,以减少后续制程所需的时间及成本,从而更加适于 实用。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。 依据本技术提出的一种移载容器的容置室结构,该移载容器用于放置半导体制程的晶圓与光軍等物件,其包含 一底座,其是用以承托一物件;一 壳罩,其可选择性结合于该底座的上方,该壳罩结合于底座上时形成有一容置空间,又壳罩具至少一可选择性启闭的填充部,填充部周缘并形成有复数 与前述容置空间连通的通孔;及至少一添加物,其是设于前述壳罩的填充 部内,该添加物为供吸收、消除、中和前述容置空间内有害物质的物质, 且添加物不致直接与容置空间内部的物件接触。本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的移载容器的容置室结构,其中所述的覆设于底座上的壳罩包含 一外壳及一 内衬,而填充部是形成于内衬相对外壳的顶面。前述的移载容器的容置室结构,其中所述的外壳具有一把手,再者外 壳上形成有复数对应把手的凸柱,而把手则形成有对应的沉孔,又内衬设 有复数对应凸柱的螺孔柱,使得把手与内衬可相对凸柱获得定位,且供利 用对应的螺栓于穿经把手与外壳后锁固内衬。前述的移载容器的容置室结构,其中所述的内衬是由金属薄片沖压而 成,内衬于对应外壳的顶面形成有一略为凹陷的定位槽,而填充部是形成 于定位槽范围内,且内衬的定位槽上覆设有一覆片,以防止填充部内的添 加物任意脱出。前述的移栽容器的容置室结构,其中所述的底座顶面设有两个相互对 应、且平行排列的承抵座,又底座顶面并于两承抵座一端间设有一抵靠件,使 物件可受承抵座与抵靠件作用承托与定位于底座上,而壳罩内部设有复数 可压掣与抵掣光罩的压抵件,且其中异于底座抵靠件的压抵件并具有一推:板片,让壳罩覆盖于底座上时,可导正光罩、且让光罩不致滑移偏位。前述的移栽容器的容置室结构,其中所述的移栽容器的底座与壳罩上 设有至少 一对前述容置空间注气的进气单元与至少 一供排出前述容置空间 内气体的出气单元,使移载容器内部的气体可产生循环流动,让干净气体 可不断的注入及排出该移载容器的容置空间,且配合填充部内的添加物进 一步加速有害物质的释出或去除,且可供控制移栽容器内部容置空间的环 境条件。前述的移栽容器的容置室结构,其中所述的底座周缘具有复数定位槽,而 壳罩底缘设有复数对应定位槽的卡扣件,供壳罩外壳可利用卡扣件选择性与底座嵌卡或分离。本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知, 为达到上述目的,本技术提供了一种移载容器的容置室结构,该移载容器用于放置半导体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种移载容器的容置室结构,该移载容器用于放置半导体制程的晶圆与光罩等物件,其特征在于其包含:一底座,其是用以承托一物件;一壳罩,其可选择性结合于该底座的上方,该壳罩结合于底座上时形成有一容置空间,又壳罩具至少一可选择性启闭的填充部,填充部周缘并形成有复数与前述容置空间连通的通孔;及至少一添加物,其是设于前述壳罩的填充部内,该添加物为供吸收、消除、中和前述容置空间内有害物质的物质,且添加物不致直接与容置空间内部的物件接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:廖莉雯,陈俐慇,卢诗文,蔡铭贵,
申请(专利权)人:亿尚精密工业股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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