使用交替淀积/蚀刻工序蚀刻衬底中特征的方法和设备技术

本发明专利技术提供一种方法和设备，通过调制施加到阴极的ＲＦ偏压交替淀积／刻蚀工序减小或消除等离子体刻蚀时在衬底上的ＳＯＩ结构的生成中观察到的切口。在至少两个频率之间分离地或在交替淀积／刻蚀工序期间连续地完成到阴极的偏压的调制。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及基于硅的微电子机械系统的制造。更具体，本专利技术涉及使用具有调制的RF偏压的交替淀积和刻蚀步骤来制造大的高宽比硅结构。
技术介绍
硅中的大高宽比特征的制造广泛地用于微电子机械(MEMS)器件的制造。这种特征常常完全延伸穿过硅晶片，以及可能需要500μm的过量刻蚀，深入硅衬底中。即使“浅”特征也需要高达30μm的刻蚀深度，特征宽度低至1μm，要求结构的限定具有超过30∶1的高宽比(深度/宽度)。为了保证可制造性，这些工序必须在高刻蚀速率下操作，以保持合理的处理量。常规的、单步骤等离子刻蚀工序不能同时满足这些需要，以及已经研发了交替的淀积/刻蚀工序。这种工序通常称为时分多路复用(TDM)工序，该工序通常由包含两个或多个工序步骤的至少一个组而构成，这些组被周期性地重复。这些工序(例如，参见美国专利4,985,114和美国专利5,501,893)典型地在配置有高密度等离子源例如感应耦合等离子体(ICP)的反应器中进行，与射频(RF)偏置的衬下电极结合。在用于硅的TDM刻蚀工序中使用的最普通工艺气体是六氟化硫和八氟化环丁烷(octofluorocyclobutane)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在时分复用工序过程中，在衬底中刻蚀特征的方法，包括以下步骤：将衬底放置在真空室中；使衬底经历时分复用工序；在时分复用工序的至少一个步骤中产生等离子体；施加调制的偏压到衬底；以及从真空室除去衬底 。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔斯里尼瓦桑，大卫J约翰逊，拉塞尔韦斯特曼，
申请(专利权)人：优利讯美国有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]