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本发明提供一种方法和设备，通过调制施加到阴极的ＲＦ偏压交替淀积／刻蚀工序减小或消除等离子体刻蚀时在衬底上的ＳＯＩ结构的生成中观察到的切口。在至少两个频率之间分离地或在交替淀积／刻蚀工序期间连续地完成到阴极的偏压的调制。...
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