本发明提供一种方法和设备，通过调制施加到阴极的ＲＦ偏压交替淀积／刻蚀工序减小或消除等离子体刻蚀时在衬底上的ＳＯＩ结构的生成中观察到的切口。在至少两个频率之间分离地或在交替淀积／刻蚀工序期间连续地完成到阴极的偏压的调制。

本发明提供一种用于蚀刻衬底的改进方法，该方法减少了柱状体的形成。根据该方法，减少了工艺中使用的蚀刻气体的滞留时间，并且增加了用于离解蚀刻气体的感应耦合等离子体源的功率。在蚀刻工艺期间提供低偏置的ＲＦ电压。在蚀刻工艺期间使用的不同偏置电平...

本发明公开了一种可供选择的蚀刻化学组成，该化学组成可以提供固有地各向异性蚀刻，并且在不需要高分子聚合物沉积作用的条件下消除刻痕形成。蚀刻在高于近似１６０℃的衬底温度下用ＨＢｒ和Ｎ↓［２］的组合实施，以提供基本上无刻痕和无碳聚合物的各向异...

本发明提供了一种用电感耦合等离子体源在衬底的周期性蚀刻和淀积期间防止切口的方法。根据本方法，脉冲发生电感耦合等离子体源，以防止衬底上的电荷积累。电感耦合等离子体源的断开态选择为足够长，使得能够发生电荷释放，但是不会长到由于低占空比而导致...

本发明提供了一种用于将气体引入交替的等离子体蚀刻／淀积室中改进方法。为了使淀积和蚀刻剂气体供应源开启和关闭时引入到交替的蚀刻／淀积室中的压力脉冲最小，使用质量流量控制器提供相对恒定的气流。提供气体旁路和气体排放口，由此在关闭至交替的蚀刻...

本发明提供了一种用于在时分复用过程期间控制真空室中的压力的方法。节流阀被预先定位并保持预定的一段时间。在硅晶片的相关等离子步骤（沉积或蚀刻）期间将过程气体引入到真空室中。在预定的时间段末尾，过程气体继续流入，同时从设置的位置释放节流阀。...

本发明提供一种用于在交替循环蚀刻处理或时分复用处理期间确立终点的方法和设备。把衬底放置在一个等离子体室中并进行具有一个蚀刻步骤和一个淀积步骤的交替循环处理。利用公知的光发射光谱测定技术，监测等离子体发射强度的变化。利用包络跟随器算法，从...

本发明提供一种用于形成具有如Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］这样的硫族化合物层的存储元件的改进的方法。在具有高密度等离子体源的真空室中放置具有介电蚀刻停止层、硫族化合物层、抗反射层和掩模层的基板。至少一种含氯气体如ＢＣｌ↓［３］和Ｃ...

本发明提供了一种用于减少纵横比相关蚀刻的方法和装置，该纵横比相关蚀刻通过交替的淀积／蚀刻工艺在半导体基板中等离子体蚀刻深的沟槽时观察到。在交替的淀积／蚀刻工艺过程中，实时地监视基板上的多个不同尺寸的图形。然后，基于自监视器接收的信息，在...

本发明提供一种用于改善在等离子体蚀刻工艺期间衬底上的蚀刻均匀性的方法和设备，该等离子体蚀刻工艺使用感应耦合等离子体螺旋感应器。该等离子体设备包括真空腔，真空腔中的用于保持衬底的支撑部件，用于向真空腔提供蚀刻气体的蚀刻气体供应器，与真空腔...