半导体器件及半导体器件的制造方法和评估方法技术

本发明专利技术揭示一种在不损伤硅衬底的情况下稳定且准确地评估半导体器件栅极下方的杂质分布的方法。依照该评估方法，通过使由热解作用产生的热解氢与半导体器件接触，而在不去除栅极绝缘膜的情况下，去除由含硅材料制成的栅极，该半导体器件包括栅极、源极以及漏极，其中，该栅极经由栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，该源极和该漏极形成在该栅极相对侧的半导体衬底上。此外，通过观测留在半导体衬底上的栅极绝缘膜的形状来评估栅极的加工形状，通过湿式工艺去除留在半导体衬底上的栅极绝缘膜，以及测量和评估栅极下方的杂质分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及一种半导体器件及其制造方法，尤其涉及一种评估栅极下方硅有源区的杂质分布的方法，以及适于评估上述杂质分布的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着“遍在信息时代(ubiquitous era)”的来临，要求信息装置进一步小型化、可提供更高的性能，以及以更低的功率运行。用于如服务器、家庭数字电子设备、移动电话的LSI(大规模集成电路)的详细规则(设计规则)正在发展之中。“45纳米代(45nm-generation)”晶体管的开发不断取得进展，其中栅极线宽小于40纳米。为了使包含大量具有这些详细规则的晶体管的LSI能够稳定运行，统一每个晶体管的性能十分重要，从而可减少性能差异的晶体管制造方法变得很重要。如果通过蚀刻构造的晶体管栅极的形状有较大差异，则晶体管的工作特性差异也会较大。因此，为了确定晶体管性能改变的原因，在制造期间，广泛使用通过电子显微镜评估经蚀刻之后栅极的加工形状(栅极LER，栅极线边缘粗糙度)的方法。然而，通过电子显微镜观测的栅极加工形状的改变，不一定与晶体管性能的改变相同。也就是说，即使栅极加工形状的改变程度与晶体管性能的改变程度相同，不同晶体管的性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的评估方法，该半导体器件包括栅极、源极以及漏极，其中，该栅极由含硅材料制成且经由栅极绝缘膜形成在半导体衬底上，该源极和该漏极形成在该栅极相对侧的半导体衬底上，该评估方法包括如下步骤：通过将热解作用产生的热解氢应用至该半 导体器件，在不去除栅极绝缘膜的情况下去除栅极；以及通过观测留在该半导体衬底上的栅极绝缘膜和侧壁绝缘膜之一的形状，评估栅极的加工形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桥见一生，佐藤豪一，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]