发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括支架、发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒固定在支架上，所述发光二极管晶粒的光出射面上设有一层含有聚二甲基硅酮的透光介质。本发明专利技术通过使用由聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂按比例形成的调配物在发光二极管晶粒的光出射面上形成一层含有聚二甲基硅酮的透光介质，大大地降低了发光二极管的光衰率，如采用标准２０ｍＡ电流驱动时，１６８小时时，其光通量有５％的上升，到３３６小时时，仍保持５％的上升率，且直到１００８小时时，其仍没有出现光衰减，仍保持上升９％，从而大幅度地提高了发光二极管的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，更确切地说，涉及一种低光衰、长寿命发光二极管。
技术介绍
发光二极管是一种半导体发光器件，被广泛的用作指示灯、显示屏等。发光二极管被誉为替代荧光灯和白炽灯的第四代照明光源。发光二极管理论寿命约100000小时，但是由于发光二极管经两端正负电压后在发光时，其即产生一定的热量，其热量如果没有很快被传导出去，就会在晶片的周围热盘旋，这一方面造成温度高出晶片结温，以致晶片本身出现失效；另一方面则导致周边封装材料，如晶片底部的绝缘胶(银胶)或者晶片上面的树脂或荧光粉产生黄变，以致当晶片发出之光会被其已黄变之绝缘胶(银胶)或晶片上面封装之树脂或荧光粉物质所吸收，造成发光二极管总体之光效出现了大量损失，以致出现了光衰现象。从目前市场上之发光二极管产品来看，由于上述光衰现象的存在，其寿命远远达不到所理论的100000小时，一般在1000小时时，其光衰率已达30％以上，从而在很大程度上缩短了发光二极管产品的寿命。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服上述缺陷，提供一种低光衰、长寿命的发光二极管。本专利技术是通过以下技术方案实现的一种发光二极管，包括支架、发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒固定在支架上，其特征在于所述发光二极管晶粒的光出射面上设有一层含有聚二甲基硅酮的透光介质。所述透光介质由聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂按1∶1比例调配。所述发光二极管封装用固化剂为二丁基二月桂酸锡或者可起硅醇缩合反应的催化作用的酸和碱或者铅、钴、锡、铁和其它金属的可溶性有机盐类。所述支架是铜支架或者铁支架。所述发光二极管晶粒通过固晶胶固定在支架上，所述固晶胶是银浆或绝缘胶。与现有技术相比，本专利技术通过使用由聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂按比例形成的调配物在发光二极管晶粒的光出射面上形成一层含有聚二甲基硅酮的透光介质，大大地降低了发光二极管的光衰率，如采用标准20mA电流驱动时，168小时时，其光通量有5％的上升，到336小时时，仍保持5％的上升率，到504小时时，保持8％的上升率，到672小时时，仍保持10％的上升率，到840小时时，仍保持9％的上升率，到1008小时时，其仍没有出现光衰减，仍保持上升9％，从而大幅度地提高了发光二极管的寿命。附图说明图1为同样情况下，采用标准20mA电流驱动时，本专利技术所揭示的采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装与采用传统硅胶封装进行光衰实验的结果曲线图。图2为同样情况下，采用标准40mA电流驱动时，本专利技术所揭示的采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装与采用传统硅胶封装进行光衰实验的结果曲线图。具体实施方式本专利技术所揭示的发光二极管包括支架、发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒固定在支架上，所述发光二极管晶粒的光出射面上设有一层含有聚二甲基硅酮的透光介质。在本实施例中，所述芯片选用蓝光发光波长为455-465nm之发光二极管晶粒，固晶胶用绝缘胶(当然也可以采银浆)，发光二极管支架采用铁支架(当然也可以采用铜支架)，所述透光介质由有机硅材料聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂(本实施例中采用二丁基二月桂酸锡，当然也可以是可起硅醇缩合反应的催化作用的酸和碱或者铅、钴、锡、铁和其它金属的可溶性有机盐类)按比例(质量，下同)调配形成，在本实施例中，聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂的调配比例为1∶1。本实施例中所揭示的发光二极管的封装过程为包括如下步骤步骤一点胶，即将绝缘胶点入支架反射杯内。步骤二固晶，即将已经准备好的晶粒放置于已经点好的绝缘胶的支架上面。步骤三固晶后烘烤，即将已经固好晶粒的半成品放入高温烤箱内进行烘烤，使晶粒与支架进行固定粘着。步骤四焊线，即将已经烘烤出的晶粒在正负极引出两根金线。步骤五配透光介质，即把聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂按比例1∶1取出，然后进行搅拌，使其充分混合，搅拌时间在5分钟左右。步骤六抽真空，即对由聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂调配成的调配物进行真空脱泡，抽真空时间在5-10分钟左右。步骤七点透光介质，即将抽好真空的由聚二甲基硅酮、发光二极管封装用固化剂调配而成的调配物点在发光二极管晶粒的光出射面上，形成一层含有聚二甲基硅酮的透光介质。步骤八点透光介质后烘烤，即将点好透光介质的支架放入高温烤箱内进行烘烤，以使其固化，温度在130-150度，烘烤时间在1-2小时。步骤九配胶，即将已经预热好的A、B剂环氧胶水按一定，一般为1∶1比例进行配制，并进行搅拌，以致其充分混合。步骤十抽真空，即对步骤九中配制的调配物进行真空脱泡，抽真空时间在5-10分钟左右。步骤十一灌胶，即利用灌胶机将胶水依次注入模腔或支架内。步骤十二灌胶后烘烤，即进行高温烘烤，使步骤十一中所注入的胶固化，烘烤温度为125度，时间8-10小时。步骤十三切脚即利用冲压模具，将其正负极分开。步骤十四分光，即利用分光机，根据产品之电压、亮度、颜色等相关电性参数进行分类。通过上述步骤完成了上述发光二极管的封装，为了验证该种发光二极管的光衰状况，本专利技术做了大量的实验。请参阅图1所示，该图为同样情况下，采用标准20mA电流驱动时，采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装与采用传统硅胶封装进行光衰实验的结果曲线图。从该图我们可以看出，序号1为传统硅胶封装之产品，168小时时没有光衰，到336小时时，出现了2％的衰减，到504小时时，出现了4％的衰减，到672小时时，出现了6％的衰减，到840小时时，出现了10％的衰减，且直到1008小时时，其光衰率达到15％。序号2为本专利技术揭示的采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装的产品，168小时时，其光通量有5％的上升，到336小时时，仍保持5％的上升率，到504小时时，保持8％的上升率，到672小时时，仍保持10％的上升率，到840小时时，仍保持9％的上升率，到1008小时时，其仍没有出现光衰减，仍保持上升9％。为了进一步验证本专利技术揭示的采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装的发光二极管的光衰状况，专利技术人又采用标准40mA电流驱动时，对其光衰状况进行了大量实验。请参阅图2所示，该图为采用标准40mA电流驱动时，本专利技术所揭示的采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装与采用传统硅胶封装进行光衰实验的结果曲线图。从该图我们可以看出，序号1为传统硅胶封装之产品，168小时时，其光衰率达到14％，到336小时时，其光衰率达到22％，到504小时时，其光衰率达到33％，光衰减非常严重。序号2本专利技术揭示的采用聚二甲基硅酮和发光二极管封装用固化剂调配物进行封装的产品，168小时时其光通量有5％的上升，到336小时时，仍保持5％的上升率，到504小时时，仍保持5％的上升率，仍没有出现光衰减。由此可见，本专利技术所揭示的发光二极管较目前市场上传统硅胶封装之产品具有很低的光衰，很长的寿命。需要说明的是，上述同样情况是指(1)每一项实验均在同一实验室、同样的时间段和环境条件下进行；(2)每一个测试项目都是从若干单管中随机抽取其中的20支发光二极管，作为测试的样品。本专利技术是在大量实验的基础上产生的，专利技术人经过一系列的实验，将大量的封装材料与发光二极管的芯片进行匹配测试，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括支架、发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒固定在支架上，其特征在于：所述发光二极管晶粒的光出射面上设有一层含有聚二甲基硅酮的透光介质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：占贤武，
申请(专利权)人：宁波安迪光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]