存储器装置和包括其的存储装置制造方法及图纸

本申请涉及存储器装置和包括其的存储装置。一种电子装置包括：多个存储器装置；以及存储控制器，其被配置为提供指示将数据存储在存储器装置中的编程命令，各个存储器装置包括：存储块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为响应于编程命令而执行将数据存储在选择存储器单元中的第一编程操作和第二编程操作，选择存储器单元是从所述多个存储器单元当中选择的存储器单元；以及编程操作控制器，其被配置为控制第一编程操作和第二编程操作，第一编程操作使用要存储在选择存储器单元中的页数据当中的一个逻辑页数据来执行，并且第二编程操作使用页数据当中的除了所述一个逻辑页数据之外的剩余逻辑页数据来执行。页数据之外的剩余逻辑页数据来执行。页数据之外的剩余逻辑页数据来执行。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置和包括其的存储装置


[0001]本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储装置和操作该存储装置的方法。

技术介绍

[0002]存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置可以是仅当供电时才存储数据并且当供电被切断时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置可包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0004]非易失性存储器装置是即使电源被切断也不丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

技术实现思路

[0005]根据本公开的实施方式的存储器装置可包括：存储器单元块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元当中的连接到所选字线的选择存储器单元中的第一编程操作和第二编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制第一编程操作和第二编程操作，第一编程操作可使用要存储在选择存储器单元中的页数据当中的一个逻辑页数据来执行，并且第二编程操作可使用页数据当中的除了所述一个逻辑页数据之外的剩余逻辑页数据来执行。
[0006]根据本公开的实施方式的存储器装置可包括：存储块，其连接到各自包括多个页的物理字线；外围电路，其被配置为执行将数据存储在所述多个页中的编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，编程操作可包括将包括在所述多个页中的存储器单元的阈值电压编程为具有擦除状态或中间状态的状态的阈值电压的第一编程操作以及将存储器单元编程为具有擦除状态和第一至第n编程状态(n是等于或大于2的自然数)中的任一个的阈值电压的第二编程操作，并且控制逻辑可控制外围电路对物理字线当中的所选物理字线中所包括的多个页中的一个执行第一编程操作，然后对在所选物理字线之前执行第一编程操作的物理字线中所包括的多个页中的一个执行第二编程操作。
[0007]根据本公开的实施方式的存储装置可包括：存储器装置；以及存储控制器，其被配置为提供指示将数据存储在存储器装置中的编程命令，各个存储器装置可包括：存储块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为响应于编程命令而执行将数据存储在选择存储器单元中的第一编程操作和第二编程操作，选择存储器单元是从所述多个存储器单元当中选择的存储器单元；以及编程操作控制器，其被配置为控制第一编程操作和第二编程操作，第一编程操作可使用要存储在选择存储器单元中的页数据当中的一个逻辑页数据来执行，并且第二编程操作可使用页数据当中的除了所述一个逻辑页数据之外的剩余逻辑页数
据来执行。
附图说明
[0008]图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。
[0009]图2是示出图1的存储器装置的结构的图。
[0010]图3是示出图2的存储块当中的任一个存储块的结构的图。
[0011]图4A和图4B是示出TLC的阈值电压分布的图。
[0012]图5A和图5B是示出根据本公开的实施方式的编程操作的图。
[0013]图6A是示出读取LSB页数据的操作的图。
[0014]图6B是示出读取CSB页数据的操作的图。
[0015]图6C是示出读取MSB页数据的操作的图。
[0016]图7是示出根据本公开的实施方式的在编程操作期间施加到字线和位线的电压的图。
[0017]图8是示出包括在存储块中的页的编程顺序的图。
[0018]图9A是示出根据本公开的实施方式的编程顺序信息的图。
[0019]图9B是示出根据本公开的另一实施方式的编程顺序信息的图。
[0020]图10是示出根据本公开的实施方式的2
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8编程方法的类型的图。
[0021]图11是示出图1的存储控制器与多个存储器装置之间的连接关系的示例的框图。
[0022]图12是示出根据数据交织的编程操作的时序图。
[0023]图13是示出本公开的执行编程操作的存储器装置的配置的图。
[0024]图14是示出在第一编程操作和第二编程操作期间施加的电压的图。
[0025]图15是示出图13的编程电压信息存储部的实施方式的图。
[0026]图16是示出图13的编程电压信息存储部的另一实施方式的图。
[0027]图17是示出图13的编程电压信息存储部的另一实施方式的图。
[0028]图18是示出图13的编程时间信息存储部的实施方式的图。
[0029]图19是示出图1的存储控制器的另一实施方式的图。
[0030]图20是示出应用了根据本公开的实施方式的存储装置的存储卡系统的框图。
[0031]图21是示出应用了根据本公开的实施方式的存储装置的固态驱动器(SSD)系统的框图。
[0032]图22是示出应用了根据本公开的实施方式的存储装置的用户系统的框图。
具体实施方式
[0033]仅示出本说明书或申请中所公开的根据概念的实施方式的具体结构或功能描述以描述根据本公开的概念的实施方式。根据本公开的概念的实施方式可按各种形式执行并且这些描述不限于本说明书或申请中所描述的实施方式。
[0034]本公开的实施方式提供了一种具有改进的可靠性和改进的操作速度的存储装置和操作该存储装置的方法。
[0035]根据本技术，提供了一种具有改进的可靠性和改进的操作速度的存储装置及其操作方法。
[0036]图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。
[0037]参照图1，存储装置50可包括存储器装置100和控制存储器装置的操作的存储控制器200。存储装置50可以是在主机300(例如，蜂窝电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、TV、平板PC或车载信息娱乐系统)的控制下存储数据的装置。
[0038]根据作为与主机300的通信方法的主机接口，存储装置50可被制造成各种类型的存储装置中的一种。例如，存储装置50可被配置成各种类型的存储装置中的任一种，例如SSD、MMC、eMMC、RS
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MMC和micro
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MMC形式的多媒体卡、SD、mini
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SD和micro
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SD形式的安全数字卡、通用串行总线(USB)存储装置、通用闪存(UFS)装置、个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡型存储装置、外围组件互连(PCI)卡型存储装置、高速PCI(PCI
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E)卡型存储装置、紧凑闪存(CF)卡、智能媒体卡和记忆棒。
[0039]存储装置50可被制造成各种类型的封装中的任一种。例如，存储装置50可被制造成诸如堆叠式封装(POP)、系统封装(SIP)、系统芯片(SOC)、多芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，该存储块包括多个存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元当中的连接到所选字线的多个选择存储器单元中的第一编程操作和第二编程操作；以及编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为控制所述第一编程操作和所述第二编程操作，其中，所述第一编程操作使用要存储在所述选择存储器单元中的页数据当中的一个逻辑页数据来执行，并且所述第二编程操作使用所述页数据当中的除了所述一个逻辑页数据之外的剩余逻辑页数据来执行。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一编程操作是将所述选择存储器单元的阈值电压编程为与擦除状态或中间状态中的任一个对应的操作。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到所述所选字线的编程电压施加步骤以及验证所述选择存储器单元的目标编程状态的验证步骤，并且所述第一编程操作包括将具有预定电压电平的固定编程电压施加到所述所选字线的编程脉冲施加步骤。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一编程操作是将所述固定编程电压施加到所述所选字线至少两次的操作。5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一编程操作是将所述固定编程电压施加到所述所选字线仅一次的操作。6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一编程操作不包括验证步骤。7.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，多个所述选择存储器单元当中的要编程为所述擦除状态的存储器单元的目标编程状态的数量和要编程为所述中间状态的存储器单元的目标编程状态的数量相同。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述选择存储器单元具有擦除状态和第一编程状态至第n编程状态中的任一个作为目标编程状态，其中，n是等于或大于2的自然数。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述外围电路执行读取存储在所述选择存储器单元中的数据的读操作。10.根据权利要求9所述的存储器装置，该存储器装置还包括：控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述读操作。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，存储在所述选择存储器单元中的所述数据包括多个逻辑页数据，并且所述控制逻辑控制所述外围电路在读取所述多个逻辑页数据中的任一个时使用一个读电压来读取。12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述一个逻辑页数据对应于最低有效比特LSB页数据。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述剩余逻辑页数据对应于中央有效比特CSB页数据和最高有效比特MSB页数据中的至少一个。
14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到多个所述选择存储器单元共同连接至的字线的编程电压施加步骤以及验证所述选择存储器单元的目标编程状态的验证步骤，并且所述第一编程操作包括施加电平比在所述多个编程循环当中的第一编程循环中施加到所述字线的电压大偏移电压的编程电压的编程脉冲施加步骤。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，所述偏移电压根据所述字线的位置而具有不同的电压电平。16.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，在所述第一编程操作期间施加到所述多个存储器单元当中的未选字线的通过电压的大小和在所述第二编程操作期间施加到所述多个存储器单元当中的未选字线的通过电压的大小具有不同的电压电平。17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器将具有不同电压电平的通过电压施加到所述未选字线当中的与所述所选字线相邻的未选字线以及剩余未选字线。18.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器不同地控制在所述第一编程操作中施加所述固定编程电压的时间和在所述第二编程操作中施加所述编程电压的时间。19.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，该存储块连接到各自包括多个页的多条物理字线；外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个页中的编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路，其中，所述编程操作包括将包括在所述多个页中的存储器单元的阈值电压编程为具有擦除状态或中间状态的状态的阈值电压的第一编程操作以及将所述存储器单元编程为具有所述擦除状态和第一编程状态至第n编程状态中的任一个的阈值电压的第二编程操作，其中，n是等于或大于2的自然数，并且所述控制逻辑控制所述外围电路对多条所述物理字线当中的所选物理字线中所包括的多个页中的一个执行第一编程操作，然后对在所述所选物理字线之前执行第一编程操作的物理字线中所包括的多个页中的一个执行第二编程操作。20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩龙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：