【技术实现步骤摘要】
基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法
[0001]本专利技术涉及一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器软编程方法。
技术介绍
[0002]CCD和CIS作为当前最常见的两种成像器件，在像素响应一致性方面都具有各自的局限。CCD阵列中少数像素会具有反常的较大暗电流，并且过度曝光会使得过剩的光电子蔓延到其他像素，产生一定程度的串扰；CIS采用感光二极管，单个像素包含多个晶体管，结构复杂，大阵列中不同像素晶体管尺寸出现工艺制造上的偏差以及寄生电容的影响会导致像素响应的一致性受限。
[0003]在中国专利CN201210442007中提出了一种双晶体管光敏探测器，该探测器的特点是单个半导体器件即可实现完整的复位、感光以及读出的功能，构成一个完整的像素，可以极大地提高像素的填充因子。这种复合介质栅双晶体管光敏探测器作为新一代的成像器件，其更快的工作速度、更大的填充系数、更多的满阱电荷且能和CMOS工艺集成，使其与CCD和CIS相比具有先天优势。但目前还没有对于该复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列进行一致性优化的研究。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其复合介质栅双晶体管光敏探测器包括MOS
‑
C部分和MOSFET部分，其中，MOS
‑
C部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的第一底层介质层、电荷耦合层、第一顶层介质层和第一控制栅极，MOSFET部分包括N型源极区、N型漏极区以及在所述P型半导体衬底上方依次叠设的第二底层介质层、所述电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极；其特征在于，将所述第一控制栅极设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的栅端；将所述N型源极区设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端，将所述N型漏极区设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的漏端，将所述P型半导体衬底设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的衬底端；所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端接地，漏端接正偏压，衬底端接地，在栅端上施加一个正负交替、幅值可调且占空比可调的脉冲电压，使得MOSFET部分的P型半导体衬底中的沟道热电子在施加电压的电场作用下注入到所述电荷耦合层，从而使得所述复合介质栅双晶体管光敏探测器阈值电压趋于收敛。2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，在所述复合介质栅双晶体管光敏探测器进行软编程之前，对所述复合介质栅双晶体管光敏探测器进行擦除操作，该擦除操作的加压方式为：所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端和漏端均接地，其栅端上加负偏压，其衬底端加正偏压，且栅端和衬底端的电压差值和时间可调。3.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫锋，吴天泽，王一鸣，吴永杰，常峻淞，李龙飞，陈辉，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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