【技术实现步骤摘要】
用于存储器装置的电路的过电压保护
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请案要求2020年8月7日由楚(Chu)等人提交的标题为“用于存储器装置的电路的过电压保护(OVERVOLTAGE PROTECTION FOR CIRCUITS OF MEMORY DEVICES)”的第16/988,285号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给本专利技术受让人，且明确地以全文引用的方式并入本文。
[0003]
涉及用于存储器装置的电路的过电压保护。
技术介绍
[0004]下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统，且更具体来说涉及用于存储器装置的电路的过电压保护。
[0005]存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一者，常常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，其中的任一者可存储。为了存取所存储的信...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：电压调节器，其经配置以调节电压源；参考电路，其经配置以至少部分地基于所述电压源的第一电压产生用于所述电压调节器的参考信号，所述参考电路包括具有栅极、与所述电压源耦合的第一节点以及第二节点的晶体管；以及保护电路，其经配置以将所述晶体管的所述栅极的第二电压与所述晶体管的所述第二节点的第三电压之间的差维持低于电压上限。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述保护电路包括：比较器，其经配置以至少部分地基于所述电压上限以及所述晶体管的所述栅极的所述第二电压与所述晶体管的所述第二节点的所述第三电压之间的所述差而产生指示；以及下拉电路，其经配置以至少部分地基于所述指示下拉所述晶体管的所述栅极的所述第二电压。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述保护电路包括：延迟组件，其经配置以滤除所述比较器的瞬态输出。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述保护电路包括：第一反转组件，其与所述比较器和所述延迟组件耦合且经配置以反转所述比较器的输出；以及第二反转组件，其与所述延迟组件和所述下拉电路耦合且经配置以反转所述延迟组件的输出。5.根据权利要求2所述的设备，其中为了产生所述指示，所述比较器经配置以当所述晶体管的所述栅极的所述第二电压与所述电压源的所述第三电压之间的第二差低于所述电压上限时产生第四电压，且当所述第二差高于所述电压上限时产生第五电压。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述保护电路包括：延迟组件，其经配置以当与从所述第五电压到所述第四电压且回到所述第五电压的转变相关联的电压脉冲的持续时间小于阈值持续时间时忽略所述电压脉冲。7.根据权利要求2所述的设备，其中所述保护电路包括：延迟组件，其经配置以在时钟信号的第一边沿处将与所述比较器的所述指示相关联的信号输出到所述下拉电路。8.根据权利要求2所述的设备，其中所述比较器包括：第二晶体管，其中所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极耦合且所述第二晶体管的源极与第二电压源耦合；第三晶体管，其与所述第二电压源耦合，其中所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的所述栅极耦合且所述第三晶体管的源极与所述第二电压源耦合；第四晶体管，其中所述第四晶体管的栅极与所述参考电路的输出耦合，所述第四晶体管的源极与所述电压源耦合，且所述第四晶体管的漏极与所述第二晶体管的所述漏极耦合；以及第五晶体管，其中所述第五晶体管的栅极与和所述电压上限相关联的参考电压耦合，所述第五晶体管的源极与接地参考耦合，且所述第五晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极耦合，所述比较器的所述输出与所述第五晶体管的所述漏极耦合。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述参考电路包括：放大器，其与第二电压源耦合且经配置以接收与由所述参考电路产生的所述参考信号相关联的输入信号；偏置组件，其经配置以将所述晶体管配置于饱和状态，所述偏置组件包括至少一个电阻器；以及第二晶体管，其耦合于所述电压源与所述晶体管的所述第一节点之间。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述放大器的输入与所述晶体管的所述第二节点耦合，且所述放大器的输出与所述晶体管的所述栅极耦合。11.一种方法，其包括：将与电压调节器耦合的电压供应从第一电压转变到第二电压；激活包括晶体管且至少部分地基于转变所述电压供应而提供参考电压以用于控制所述电压调节器的参考电路，其中所述晶体管的栅极的第三电压匹配所述参考电压且所述晶体...
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