【技术实现步骤摘要】
输入接收器
[0001]本专利技术涉及一种输入接收器,尤其涉及一种采用多级反相器电路结构的输入接收器。
技术介绍
[0002]随着科技的发展,消费型的电子装置逐渐被普及,半导体装置已成为电子装置中重要的组件。在动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等半导体装置中具备接收来自外部的输入信号的输入接收器。作为输入接收器,一般使用将输入信号与参考电压进行比较,并根据其电压差而生成放大信号的差动型的放大器电路。
[0003]近年来,除了DRAM的功耗日益降低之外,DRAM的访问速度也不断提升。在现有的传统设计中,可以通过配置在输入接收器的输出级的分路电阻(shunt resistance)来使输入接收器在高速的环境下也能正确地动作。然而,由于漏电流影响,使用分路电阻会造成额外的功耗,从而降低DRAM整体的效能。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种输入接收器,可利用与放大器电路并联于相同节点之间的反相器电路结构来代替传统设计中的分路电阻。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种输入接收器,包括:第一电流源电路,耦接于操作电压与第一节点之间,被配置为根据第一偏压信号调整通过所述第一节点的操作电流;第二电流源电路,耦接于第二节点与接地电压之间,被配置为根据第二偏压信号调整通过所述第二节点的接地电流;第一轨对轨放大器电路,耦接于所述第一节点与所述第二节点之间,被配置为接收输入信号,并将所述输入信号与参考电压进行比较,据以输出放大信号;第一反相器电路,与所述第一轨对轨放大器电路并接于所述第一节点与所述第二节点之间,被配置为接收所述放大信号,且提供反相信号;以及第二反相器电路,耦接于所述操作电压与所述接地电压之间,被配置为根据所述反相信号产生输出信号。2.根据权利要求1所述的输入接收器,所述第二电流源电路包括:电流源,被配置为根据所述第二偏压信号调整所述接地电流;以及致能晶体管,在所述第二节点与所述接地电压之间的电路路径上与所述电流源串接,且被配置为根据致能信号导通或断开。3.根据权利要求1所述的输入接收器,其中所述第一轨对轨放大器电路包括第一差动放大器电路及第二差动放大器电路,所述第一差动放大器电路及所述第二差动放大器电路为互补电路组态。4.根据权利要求3所述的输入接收器,其中所述第一差动放大器电路包括:第一P型场效晶体管,其第一端耦接所述第一节点,所述第一P型场效晶体管的控制端接收所述输入信号;第二P型场效晶体管,其第一端耦接所述第一节点,所述第一P型场效晶体管的控制端接收所述参考电压;第一N型场效晶体管,其第一端耦接所述第一P型场效晶体管的第二端,所述第一N型场效晶体管的第二端耦接所述第二节点;以及第二N型场效晶体管,其第一端耦接所述第二P型场效晶体管的第二端,所述第二N型场效晶体管的第二端耦接所述第二节点,所述第二N型场效晶体管的控制端耦接所述第二N型场效晶体管的第一端及所述第一N型场效晶体管的控制端,其中所述第二差动放大器电路包括:第三P型场效晶体管,其第一端耦接所述第一节点,所述第三P型场效晶体管的第二端耦接所述第三P型场效晶体管的控制端及所述第二N型场效晶体管的第一端;第四P型场效晶体管,其第一端耦接所述第一节点,所述第四P型场效晶体管的第二端耦接所述第一N型场效晶体管的第一端,所述第四P型场效晶体管的控制端耦接所述第三P型场效晶体管的控制端;第三N型场效晶体管,其第一端耦接所述第三P型场效晶体管的第二端,所述第三N型场效晶体管的第二端耦接所述第二节点,所述第三N型场效晶体管的控制端接收所述参考电压;以及第四N型场效晶体管,其第一端耦接所述第四P型场效晶体管的第二端,并且提供所述放大信号,所述第四N型场效晶体管的第二端耦接所述第二节点,所述第四N型场效晶体管
的控制端接收所述输入信号。5.根据权利要求1所述的输入接收器,还包括偏压信号产生器,所述偏压信号产生器包括:第三电流源电路,耦接于所述操作电压与第三节点之间,所述第三电流源电路包括第一电流源,并被配置为根据所述第一电流源提供所述第一偏压信号以及通过所述第三节点的电流;第四电流源电路,耦接于第四节点与所述接地电压之间,被配置为根据所述第二偏压信号调整通过所述第四节点的电流;第二轨对轨放大器电路,耦接于所述第三节点与所述第四节点之间,被配置为根据所述参考电压输出比较信号;第三反相器电路,与所述第二轨对轨放大器电路并接于所述第三节点与所述第四节点之间,被配置为接收所述参考电压;运算放大器电路,被配置为接收所述参考电压与所述比较信号,并输出所述第二偏压信号。6.根据权利要求5所述的输入接收器,其中所述第四电流源电路包括:第二电流源,被配置为根据所述第二偏压信号调整通过所述第四节点的电流;以及致能晶体管,在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:紫藤泰平,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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