【技术实现步骤摘要】
一种标准单元的传输延迟确定方法及装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种标准单元的传输延迟确定方法及装置。
技术介绍
[0002]对于半导体芯片而言，更高的电路速度和更低的电路功耗始终是产业界的不断追求。CMOS(Complementary metal
‑
oxide
‑
semiconductor，互补金属
‑
氧化物
‑
半导体)电路速度的度量参数之一是MOS管的传输延迟(propagation delay)，即输出电压变化落后于输入电压变化的时间。
[0003]以MOS(metal
‑
oxide
‑
semiconductor，金属
‑
氧化物
‑
半导体)器件为例，MOS器件充放电的快慢是影响传输延迟的一个重要因素，而充放电的快慢与器件的负载电容有关。例如CMOS反相器的传输延迟由PMOS和NMOS通过负载电容C
L
充电和放电的时间决定。根据该...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种标准单元的传输延迟确定方法，其特征在于，所述方法包括：根据预设的标准单元老化模型确定标准单元库中标准单元的输入引脚在预设老化条件下的电容，得到老化引脚电容；当利用所述标准单元库中的标准单元构建电路时，根据输入本级标准单元的信号的输入过渡时间及所述本级标准单元的外接负载电容，确定所述本级标准单元的传输延迟，其中，所述外接负载电容包括：与所述本级标准单元的输出端相连的下一级标准单元的所述老化引脚电容，以及所述本级标准单元与所述下一级标准单元之间的互连线的电容。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述老化引脚电容包括所述标准单元中的金属氧化物半导体MOS器件的界面陷阱电容。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据输入本级标准单元的信号的输入过渡时间及所述本级标准单元的外接负载电容，确定所述本级标准单元的传输延迟之前，所述方法还包括：根据预设的互连线老化模型，确定所述互连线在所述预设老化条件下老化后的电容，得到老化互连线电容；所述根据输入本级标准单元的信号的输入过渡时间及所述本级标准单元的外接负载电容，确定所述本级标准单元的传输延迟包括：根据输入本级标准单元的信号的输入过渡时间、所述老化互连线电容及所述老化引脚电容，确定所述本级标准单元的传输延迟。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据输入本级标准单元的信号的输入过渡时间及所述本级标准单元的外接负载电容，确定所述本级标准单元的传输延迟包括：根据输入所述本级标准单元的信号的输入过渡时间，以及所述本级标准单元的外接负载电容，在预设的传输延迟查找表中查找所述本级标准单元的传输延迟；或者根据输入所述本级标准单元的信号的输入过渡时间，所述本级标准单元的等效电路模型以及所述本级标准单元的外接负载电容，进行仿真，得到所述本级标准单元的传输延迟。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：根据输入所述本级标准单元的信号的输入过渡时间，以及所述本级标准单元的外接负载电容，确定输出所述本级标准单元的信号的输出过渡时间；根据输出所述本级标准单元的信号的输出过渡时间，确定输入所述下一级标准单元的信号的输入过渡时间，以根据输入所述下一级标准单元的信号的输入过渡时间以及所述下一级标准单元的外接负载电容，确定所述下一级标准单元的传输延迟。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据输入所述本级标准单元的信号的输入过渡时间，以及所述本级标准单元的外接负载电容，确定所述本级标准单元的输出信号的输出过渡时间包括：根据输入所述本级标准单元的信号的输入过渡时间，以及所述本级标准单元的外接负载电容，在预设的输出过渡时间查找表中查找输出所述本级标准单元的信号的输出过渡时间；或者根据输入所述本级标准单元的信号的输入过渡时间，所述本级标准单元的等效电路模型以及所述本级标准单元的外接负载电容，进行仿真，得到输出所述本级标准单元的信号
的输出过渡时间。7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设老化条件包括：工艺电压温度PVT、激励信号、老化时间。8.一种标准单元的传输延迟确定装置，其特征在于，所述装置包括：电容确定模块，用于根据预设的标准单元老化模型确定标准单元库中标准单元的输入引脚在预设老化条件下的电容，得到老化引脚电容；延迟确定模块，用于当利用所述标准单元库中的标准单元构建电路时，根据输入本级标准单元的信...
【专利技术属性】
技术研发人员：张冠群，张晓强，南海卿，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。