【技术实现步骤摘要】
测试方法及测试系统
[0001]本专利技术涉及半导体测试
,特别涉及一种测试方法及测试系统。
技术介绍
[0002]集成电路的制程过程,通常可分为晶圆制程、晶圆测试、晶圆封装以及最后测试。其中,晶圆测试(Chip Probe,CP)和最后测试(Final Test,FT)是集成电路生产过程中的重要环节,CP测试的目的是把坏的管芯(Die)挑出来,以节约废芯片封装的成本,在合理的成本控制条件下,以具有较高的可信度的方式得出晶圆测试的结果。
[0003]然而专利技术人发现,目前CP测试以及FT测试中,为了有效率执行测试的过程,通常只筛选出良率较低的芯片,且对于测试过程中出现的一些较不明显的问题,容易造成漏识别,同时该现象也不仅限于低良率的芯片上。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种测试方法及测试系统,以解决目前识别晶圆测试存在的误差及时效性问题。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术的实施例提供了一种测试方法,包括:基于预设测试区域对待测晶圆进行检测,获取待测晶圆中各个 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试方法,其特征在于,包括:基于预设测试区域对待测晶圆进行检测,获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果;获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图,所述离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在所述待测晶圆中的位置;基于所述预设测试区域的图形分布特征,将所述离散点分布图划分为多个测试区域,并获取测试结果分布图形,所述测试结果分布图形用于表征所述离散点分布图的图形特征;获取所述测试结果分布图形和所述预设测试区域的图形分布特征的相关性;基于所述相关性获取所述待测晶圆的测试结果。2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述检测结果的资料类型为类别型,所述检测结果用于指示所述待测晶圆中各个待测芯片分别为正常芯片或所述异常芯片;所述获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括:获取所述待测晶圆中的所述异常芯片的位置分布图。3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述检测结果的资料类型为数据型,所述检测结果用于指示所述待测晶圆中各个待测芯片的具体测试数值;所述获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括:获取所述待测晶圆中每一个待测芯片所对应的所有的所述具体测试数值,基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片,并获取所述待测晶圆中的所述异常芯片的位置分布图。4.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片,包括:将所有的所述具体测试数值按具体测试数值大小进行升序排列;在所述升序排列中任取两个检测结果作为第一检测结果和第二检测结果,且所述第二检测结果大于所述第一检测结果;作为所述离散点的所述待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值,所述具体测试数值Q满足:Q≤Q
1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr,所述具体测试数据Q为所述异常测试数值,Q1为所述第一检测结果的具体测试数值,Q2为所述第二检测结果的具体测试数值,Iqr为所述第二检测结果与所述第一检测结果的四分位差。5.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片,包括:将所有的所述具体测试数值按具体测试数值大小进行降序排列;在所述降序排列中任取两个检测结果作为第三检测结果和第四检测结果,且所述第四检测结果小于所述第三检测结果;作为所述离散点的所述待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值,所述具体测试数值Q满足:Q≤Q
4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr,所述具体测试数据Q为所述异常测试数值,Q3为所述第三检测结果的具体测试数值,Q4为所述第四检测结果的具体测试数值,Iqr为所述第三检测结果与所述第四检测结果的四分位差。6.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述基于所述预设测试区域的图形分布特征,将所述离散点分布图划分为多个测试区域,并获取测试结果分布图形,包括:
基于十字交叉的区域划分方式,将所述离散点分布图均匀划分为第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域;统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量以及位置差异,获取所述测试结果分布图形。7.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述基于所述预设测试区域的图形分布特征,将所述离散点分布图划分为多个测试区域,并获取测试结果分布图形,包括:基于同心环的区域划分方式,将所述离散点分布图均匀划分为第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域;统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量以及位置差异,获取所述测试结果分布图形。8.根据权利要求6或者7所述的测试方法,其特征在于,所述统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量以及位置差异...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑宇廷,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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