纳米基光电子器件制造技术

本发明专利技术公开一种材料结构，该结构是基于将预制的任意形状的纳米晶体插入非晶体、非烃阻挡层的表面或里面。所述结构的实施例包括多个可以被分层的阻挡层和接触点。当所述的结构用作检测器或太阳能电池时，在吸收过程中，在纳米晶体中形成的带电载流子将通过量子力学隧穿／热电子发射或扩散而迁移到电接触点。这种结构的一个实施例是光电器件，其使用不同的接触材料和阻挡层形成一内建偏压。该结构也能作用调节器或发射器。本发明专利技术可由许多叠加的结构和共用的邻近的接触区组成，在这种情况下，单独的那些层被转用作吸收、发射或调节特定频率或频率组的光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光电子学领域。更具体地说，本专利技术提供诸如光伏太阳能 电池这样的器件，它是基于把无机基的纳米结构引入有源区内，在这场合下， 先预制单晶纳米结构，再沉积在无机基的非晶态基质材料上。在一个实施例中， 量子力学隧道法使得带电载流子在纳米结构与包覆层之间移动。技术背景光电子器件一般由无机半导体的单晶有源区组成。举例来说，诸如GaAs 和GaN的111-V族的化合物，如AlGaAs、 InAlGaAs和InGaNp都用于产生光 及用作光检测器，而诸如硅那样的材料则被用作光检测器和太阳能转换器。由 于有源区的单晶性质，包覆区也一定是单晶，以一组包括晶格匹配的单晶衬底 在内的晶格匹配材料为条件。这种处理不仅成本高而且还受限制。成本高是因 为单晶、晶格匹配的衬底以及特别设计和制造的晶体生长装置。受限制的原因是必须选择对具体器件最佳的材料组合，另外还须晶格匹配。具体地说，光伏 太阳能电池是一种把太阳光转换成电能的光电子器件。它的形成方式一般与许 多光电子器件类似。单晶、多晶或非晶态材料的薄层沉积在衬底上。 一般利用 在n和p掺杂区之间的接合处形成内建电压电位。吸收了照射在结构上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，该装置包括：　许多个预制的无机纳米晶体；　至少一种非烃、非晶体阻隔材料，其中，所述的许多个预制的无机纳米晶体与非烃、非晶体阻隔材料电接触，以及势能垒靠至少一种类型载流子在非晶体、非烃阻隔材料与许多个预制的无机纳米晶体之间迁移而存在；以及　至少一导电材料，其与阻隔材料电接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G所罗门，D米勒，J黑尔瓦根，
申请(专利权)人：森沃特纳米体系股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[]