一种高光效发光二极管晶片制造技术

本发明专利技术公开了一种高光效发光二极管晶片，包括一透明衬底层，设置于透明衬底层上的一粘胶层，粘胶层上设有第一传导层，一有源层设于第一传导层和第二传导层之间，第一电极、第二电极分别设于第一传导层和第二传导层上，所述透明衬底层有上表面和底面，在其底面设有一金属反射层，其特征在于：在粘胶层与第一传导层之间设有一布拉格反射层。由于本发明专利技术在原有技术的基础上增加了一布拉格反射层，有源层所发光直接经布拉格反射层反射而出，降低了光被吸收和衰减的可能性，从而提高了出光率，亮度显著提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，特别是一种高光效发光二极管晶片。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，特别是发光源的发光半导体技术的 发展，以氮化镓及其化合物为原材料制成的发光二极管在显示及照明 等光电领域的应用越来越广泛。因其节能、环保、寿命长等特性，大 有取传统光源而代之趋势。故发光半导体的研究发展为各国半导体行 业所关注。提高其光效一直是半导体行业内所关注的一个重要发展
，是所有LED制造者所追求的一个重要目标。。但从客观上 来讲，现有的发光二极管晶片由于结构的不合理性，发光亮度及其发 光效果不是很理想，从而导致现有一般的小型LED成本高却亮度低。 现在技术中一般结构如下，在衬底底面设有一反射层，第一传导层、 有源层、第二传导层依次设于衬底之上，有源层所发光经反射层反射 后向上射出，因发光有源层和反射层距离较远，所以光在反射传播过 程中有很大一部分光可能被吸收和衰减，从而导致了发光二极管光效 不高。再者，在现有技术中，有源层面积与衬底面积相当，也是影响 发光二极管晶片光效及亮度的一个重要因素。
技术实现思路
本专利技术针对上述技术问题，提供一种用于高光效发光二极管晶 片，它不仅可以产生更高的亮度，而且有更好的出光率和散热效果，从而使其使用寿命加长。为达到上述目的，本专利技术采用如下的技术方案 一种高光效发光 二极管晶片，包括一透明衬底层，设置于透明衬底层上的一粘胶层， 粘胶层上设有第一传导层， 一有源层设于第一传导层和第二传导层之 间，第一电极、第二电极分别设于第一传导层和第二传导层上，所述 透明衬底层有上面和底面，在其底面设有一金属反射层，其特征在于: 在粘胶层与第一传导层之间设有一布拉格反射层。此一技术方案的实现，有利于縮短有源层所发光的反射距离，从 而在很大程度上减少光被吸收和衰减的可能性，使出光率显著提高。为进一步增强其技术效果，本专利技术的另一改进在于所述透明衬底 层的底面面积大于有源层的面积。为进一步增强其技术效果，本专利技术的另一改进在于所述透明衬底 层的底面面积大于其上表面面积。为进一步增强其技术效果，本专利技术的另一改进在于所述透明衬底 层的上表面面积大于有源层的面积。此三个技术改进方案均是为使有源层所发光经金属反射层反射 后，部分光能不经传导层和有源层而直接射出，达到提高光效和亮度 之目的。为使本专利技术达到更好的技术效果，所述有源层位于透明衬底层的 上表面居中位置。为使本专利技术更具可操作性，本专利技术另一改进之处在于所述第一传 导层由氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锌和氧化锌锡中至少一种化合物组成。 ，本专利技术的又一改进之处在于所述第二传导层由氧化铟锡、氧化镉 锡、氧化锌和氧化锌锡中至少一种化合物组成。本专利技术的再一改进之处在于所述有源层由碳化镓、磷化镓、砷化 镓、氧化锌和氧化锌锡中任一一种化合物组成。所述透明衬底层由硅、碳化硅、三氧化二铝和氧化锌中任一一种 组成。附图说明图1是现有技术的截面示意图2是本专利技术的一实施例截面示意图3是本专利技术的另一实施例截面示意图。具体实施方式参照附图l，即现有技术的截面示意图。在现在技术中，晶片主 要包括衬底50，设置于衬底50底面的反射层60，设置于衬底上表面 的第一传导层40，设置于第一传导层40与第二传导层20之间的有 源层30，以及分别设于第一传导层40和第二传导层20之上的第一 电极70与第二电极10，且衬底50底面反射层面积与有源层30的面 积基本相当。这种结构存在诸多不合理之处，反射层设置于整个晶片 的最底部，通过反射层反射的光需经过衬底、第一传导体、有源层、 第二传导层以及第一传导层才能射出，在此过程中，有部分光被吸收 和衰减，从而对出光率产生影响，以致影响光亮度。附图2，作为本专利技术的一种实施例，在现在技术的基础上做了较大的改进，即在衬底6和第一传导层1之间增加了一粘胶层5和一布 拉格反射层3;另外，衬底6的面积较有源层9的面积大，这样有源 层9所发光直接经反射层11反射，而无须经过第一传导层1，经衬 底后直接射出，所发光被吸收和衰减的可能性大为减少，从而有效的 提高了出光率，故亮度得以提高；再者，第一传导层l、有源层9及 第二传导层2组成的发光器件位于衬底上表面之中心位置，出光对称性好。附图3，作为本专利技术的另一实施例，在现在技术的基础上做了较 大的改进，即在衬底6和第一传导层1之间增加了一粘胶层5和一反 射层3;另外，衬底6上表面的面积与较有源层9的面积大，这样有 源层9所发光直接经反射层11与有源层9的面积相等，而无须经过 衬底6和第一传导层1，所发光被吸收和衰减的可能性大为减少，从 而有效的提高了出光率，故亮度得以提高；再者，第一传导层l、有 源层9及第二传导层2组成的发光器件位于衬底上表面之中心位置， 出光对称性好。附图4，作为本专利技术的又一实施例，在前两个实施的基础上做了 某些改进变化，达到了基本相同的技术效果。以上所举实例仅以方便说明本专利技术，在不脱离本专利技术的创作精神 范畴，熟悉此技术的人士所作的各种简易变相与修饰，仍然包括于本 专利技术的技术方案范围内。权利要求1、一种高光效发光二极管晶片，包括一透明衬底层(6)，设置于透明衬底层(6)上的一粘胶层(5)，粘胶层(5)上设有第一传导层(1)，一有源层(9)设于第一传导层(1)和第二传导层(2)之间，第一电极(7)、第二电极(8)分别设于第一传导层(1)和第二传导层(2)上，所述透明衬底层(6)有上表面和底面，在其底面设有一金属反射层(11)，其特征在于在粘胶层(5)与第一传导层(1)之间设有一布拉格反射层(3)。2、 根据权利要求1所述的一种高光效发光二极管晶片，其特征在 于所述透明衬底层(6)的底面面积大于有源层(9)的面积。3、 根据权利要求2所述的一种高光效发光二极管晶片，其特征在 于所述透明衬底层(6)的上表面面积大于有源层(9)的面 积。4、 根据权利要求2、 3所述的一种高光效发光二极管晶片，其特征 在于所述透明衬底层(6)的底面面积大于其上表面面积。5、 根据权利要求4所述的一种高光效发光二极管晶片，其特征在 于所述有源层(9)位于透明衬底层(6)的上表面居中位置。6、 根据权利要求3、 4中任一所述的一种高光效发光二极管晶片， 其特征在于所述第一传导层(1)由氧化铟锡、氧化镉锡、氧 化锌和氧化锌锡中至少一种化合物组成。7、 根据权利要求3、 4中任一所述的一种高光效发光二极管晶片， 其特征在于所述第二传导层(2)由氧化铟锡、氧化镉锡、氧 化锌和氧化锌锡中至少一种化合物组成。8、 根据权利要求3、 4中任一所述的一种高光效发光二极管晶片， 其特征在于所述有源层(9)由磷化镓、砷化镓、氧化锌和氧 化锌锡中至少一种化合物组成。9、 根据权利要求3、 4中任一所述的一种高光效发光二极管晶片，其特征在于所述透明衬底层(6)由硅、碳化硅、三氧化二铝和氧化锌中任一一种组成。全文摘要本专利技术公开了一种高光效发光二极管晶片，包括一透明衬底层，设置于透明衬底层上的一粘胶层，粘胶层上设有第一传导层，一有源层设于第一传导层和第二传导层之间，第一电极、第二电极分别设于第一传导层和第二传导层上，所述透明衬底层有上表面和底面，在其底面设有一金属反射层，其特征在于在粘胶层与第一传导层之间设有一布拉格反射层。由于本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高光效发光二极管晶片，包括一透明衬底层（６），设置于透明衬底层（６）上的一粘胶层（５），粘胶层（５）上设有第一传导层（１），一有源层（９）设于第一传导层（１）和第二传导层（２）之间，第一电极（７）、第二电极（８）分别设于第一传导层（１）和第二传导层（２）上，所述透明衬底层（６）有上表面和底面，在其底面设有一金属反射层（１１），其特征在于：在粘胶层（５）与第一传导层（１）之间设有一布拉格反射层（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文明，
申请(专利权)人：杨文明，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]