一种等离子刻蚀残留物清洗剂制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子刻蚀残留物清洗剂，其含有氟化物和水，还含有溶剂Ｎ－羟乙基吡咯烷酮。本发明专利技术的清洗剂对等离子刻蚀残留物具有高效的清洗能力，对低介质材料（如ＳｉＯ↓［２］和ＰＥＴＥＯＳ）和金属材料（如Ｔｉ、Ａｌ和Ｃｕ）等晶片基材有较低的蚀刻速率，低缺陷水平，且操作窗口宽，安全环保，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种等离子刻蚀残留物清洗剂，含有氟化物和水，其特征在于：其还含有溶剂Ｎ－羟乙基吡咯烷酮。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]