用于高电压超结终端的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种制造具有有源区和终端区的半导体器件的方法，其包括：提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底。该半导体衬底具有有源区和围绕该有源区的终端区。将第一主表面氧化。在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面。以电介质材料填充终端区中的该第一多个沟槽。在终端区中的第二多个沟槽。以电介质材料填充该第二多个沟槽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造具有终端区的半导体器件的方法，特别 是涉及一种制造具有用于增强器件反向电压阻挡能力的电介质区域的 半导体器件的方法。
技术介绍
由于陈星弼博士的超结器件的专利技术，如美国专利5,216,275中所公 开的，已经有许多尝试以扩展和改进他的专利技术的超结效果。美国专利 6,410,958、 6,300,171和6,307,246是上述努力的实例并通过引用被结 合在此。美国专利6,410,958 (" Usui等人")涉及用于半导体元件的边缘 终端结构以及漂移区。 一种导电类型的半导体主体具有嵌入在至少两 个彼此不同平面中的多个另一种导电类型的区域的边缘区域。在该半 导体元件的有源区的下面，利用底层衬底来连接漂移区。美国专利6,307,246 ( "Nitta等人")公开了一种功率半导体元 件，其具有高电压维持边缘结构，其中许多并行连接的独立部件设置 在单元阵列的许多单元中。在边缘区域中，该半导体元件具有带有被 遮蔽的源区区域的单元。在功率半导体元件的换向(commutation)期 间，遮蔽的源区区域抑制由于不成比例的大的反向电流密度所引起的 寄生双极性晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造具有有源区和围绕该有源区的终端区的半导体器件的方法，该方法包括：　提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底，该半导体衬底在第二主表面上具有第一导电类型的重掺杂区，而在第一主表面上具有第一导电类型的轻掺杂区；　在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面，该第一多个沟槽的每一沟槽从第一主表面向该重掺杂区域延伸至第一深度位置；　以电介质材料填充在有源区外部且与有源区相邻的终端区中的该第一多个沟槽；　在终端区中形成第二多个沟槽，该第二多个沟槽的每一沟槽从第一主表面向重掺杂区域延伸至第二深度位置；以及　以电介质材料填充该第二多个沟槽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石甫渊，布赖恩D普拉特，
申请(专利权)人：三维半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]