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本发明公开了一种制造具有有源区和终端区的半导体器件的方法，其包括：提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底。该半导体衬底具有有源区和围绕该有源区的终端区。将第一主表面氧化。在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面。以电介质材料填充终端...
该专利属于三维半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过三维半导体公司授权不得商用。

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