一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 制备用于发射光的光源系统；然后 制备具有图案的标线片；然后 在包括所述图案的所述标线片的上方相间隔地放置框架；然后 在所述框架和所述标线片之间的间隔中形成透明物质；然后 制备在其上具有光敏层的半导体晶片；然后 利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后 根据所述图案处理所述半导体晶片，以形成所述半导体器件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及制造半导体器件的装置及其方法。本 专利技术具有广泛的适用范围，尤其适用于使用标线片(retide)和薄膜(pdlicle)。
技术介绍
光学微光刻系统用于半导体器件的制造。所述光学微光刻系统可包括光 源系统、具有图案和框架的标线片系统以及半导体晶片。当光穿过标线片和 框架之间的空隙间隔(empty space)时，会发生衍射。因此，降低了由半导 体晶片上的光敏层所曝光的图案的分辨率。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及，并且尤其适 用于使用标线片和薄膜。本专利技术的实施例涉及，并且以通过 高纯度透明物质填充标线片和框架之间的空隙间隔的方式，能够减小由标线 片衍射的光的角度。本专利技术的实施例涉及用于制造半导体器件的方法，并且所述方法可包括 以下步骤中的至少一个步骤提供用于发射光的光源系统；然后提供具有图 案的标线片，以其上加载框架；然后在所述框架和所述标线片之间的空隙间 隔中形成透明物质；然后提供在其上具有光敏层的半导体晶片；然后使光穿 过所述标线片和所述透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后根据 所述图案处理所述半导体晶片，以形成所述半导体器件。根据实施例，在所述框架和所述标线片之间的空隙间隔中形成所述透明物质后，所述方法还包 括在所述框架上形成保护层，使其与所述标线片的表面以预定距离间隔开。本专利技术的实施例涉及用于制造半导体器件的方法，并且所述方法可包括 以下步骤中的至少一个步骤提供光源系统；然后提供标线片，并且所述标 线片包括主体和在所述主体上形成的多个图案标线片；然后在包括所述图案 的所述主体上形成透明材料层；然后提供曝光系统；然后提供在其上具有光 敏层的半导体晶片，从而将曝光设备置于所述透明物质和所述半导体晶片之 间的光传输路径中；然后利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述 透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后根据所述图案处理所述半 导体晶片。本专利技术的实施例涉及用于制造半导体器件的装置，并且所述装置可包括 以下各项中的至少一项光源系统，用于发射光；具有图案的标线片；框架， 加载在所述标线片上和/或上方；透明物质，位于所述框架和所述标线片之间 的空隙间隔中；以及在其上具有光敏层的半导体晶片。根据实施例，光穿过 所述标线片、所述透明物质和所述保护层，以根据所述图案曝光所述光敏层。 根据实施例，根据图案处理所述半导体晶片，以制造所述半导体器件。根据 实施例的装置还可包括保护层，形成在所述框架上和/或上方，且与所述标线 片的表面以预定距离间隔开。因此，以通过作为高纯度透明物质的丙烯酰基 (acryl)填充所述标线片和所述框架之间的空隙间隔的方式，能够减小由标 线片衍射的光的角度。因此，本专利技术的实施例能增强并最大化来自标线片(作为光传播的起点) 的光的必然衍射范围，从而提高分辨率。本专利技术的方法通过用高纯度透明物填充标线片和框架之间的空隙间隔 的方式，能减小由标线片所衍射的光的角度，从而最大化半导体晶片上和/ 或上方的实际分辨率附图说明示例性图1至图4示出了根据本专利技术实施例的用于制造半导体器件的装 置和制造半导体器件的方法。具体实施例方式下文将结合随附附图的示例详细说明本专利技术的实施例。在全部附图中任 何可能之处，相同的附图标记表示相同或相似的部件。如示例性图1中所示，根据本专利技术实施例用于制造半导体器件的装置包括光源系统IO、标线片系统20A、曝光系统30、光敏层42以及半导体晶片 40。光源系统10是用以发射光的发光源，并且可包括氟准分子激光器。标 线片系统20A包括标线片22、加载在标线片22表面上和/或上方的框架28、 透明物24A以及保护层26。标线片22具有在主体(body) 22A上和/或上方 形成的图案22B，并可采用标线片或掩模的形式。主体22A可由石英形成。 可由铬(Cr)和MoSiN之一组成的特定形状实现所述图案22B。透明物24A可在包括主体22A的图案22B上和/或上方形成。透明物24A 可以由具有高纯度的透明丙烯酰基(transparentacryl)组成。在框架(frame) 28和标线片22之间的空隙间隔中提供丙丙烯酰基24A。丙烯酰基24A是一 种塑料，并且一种代表性的丙烯酰基由丙酮、氰酸和甲醇作为原料构成。丙 烯酰基24A是具有特定比重(gravity)为1.18的甲基丙烯酸甲酯(metacrylic acidmethylester)(甲基丙烯酸甲基(metacrylic acid methyl))的聚合物。根据 本专利技术实施例的丙烯酰基24A可具有以下物理特性。所述丙烯酰基24A为 无色、透明，被用作电绝缘体、防水、耐化学腐蚀、并且比常规玻璃更易透 光，尤其是更易透射紫外光。丙烯酰基24A的折射率是1.49。即使被暴露在 外部空气中，丙烯酰基24A也不会变色。丙烯酰基可在温度高于15(TC的条 件下将丙烯24A通过压縮注射模塑(injection-molded)。通过将丙烯材料注 入模具或铸件中，形成丙烯酰基24A以作为透明面板24A。如果标线片22 和框架28之间的空隙间隔由加热成化合物的丙烯酰基24A填充，则由于低 熔点缘故，使得相应图案受到的损害小于其他物质的图案。丙烯酰基24A易 被处理，并且与有机玻璃一样具有极佳的透明度。保护层26形成在框架28上和/或上方，并与标线片22的表面以预定距 离间隔开。保护层26上和/或上方的微小灰尘(small dust)因此而偏离焦点 以避免使标线片22上的掩模图案变形。保护层26具有保护标线片22的作 用，并且可以包括作为自支撑膜(free-standing film)的薄膜。保护层26几 乎能够透射从光源系统10发射出的全部光。 一般而言，由于在半导体处理中所伴随的非常小的特征尺寸(feature size)可能会因此而产生变形图案， 而该变形图案会由于这种小污染源(例如灰尘)而造成半导体器件异常。为 了防止这种问题，在框架28上和/或上方形成保护层26。还可以在保护层26和半导体晶片40之间的光传输路径中提供曝光系统 30。在半导体晶片40上和/或上方提供光敏层42或光敏物质(例如光致抗蚀 剂)。从光源系统10发射的光穿过标线片22、丙烯酰基24A、保护层26和 曝光系统30，以根据图案22B执行光敏层42上的曝光。然后根据经曝光的 图案44处理半导体晶片40以制造半导体器件。标线片22上和/或上方的图 案22B比半导体晶片40上和/或上方的图案44大数倍。以确定的顺序使用 具有不同图案的多个标线片22，以处理单个半导体晶片40。如示例性图2中示出的半导体器件制造装置没有保护层，而如示例性图 1中示出的之前的半导体器件制造装置具有保护层26。这是因为丙烯酰基 24B可用作为保护层。具体而言，丙烯酰基24B的作用与示例性图1中示出 的薄膜26的作用相同。标线片系统20B包括标线片22和丙烯酰基24B。因 此，源于光源系统10的光穿过标线片22和丙烯酰基24B，以根据图案22B 曝光光敏层42。根据经曝光的图案44处理半导体晶片40，以制造半导体器 件。丙烯酰基24B的厚度大于示例性图1中示出的之前的丙烯酰基24A的厚 度。除了上述的描述之外，因为示例性图2中示出的半导体器件制造装本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 制备用于发射光的光源系统；然后 制备具有图案的标线片；然后 在包括所述图案的所述标线片的上方相间隔地放置框架；然后 在所述框架和所述标线片之间的间隔中形成透明物质；然后制备在其上具有光敏层的半导体晶片；然后 利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后 根据所述图案处理所述半导体晶片，以形成所述半导体器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李东灿，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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