用于制造半导体器件的装置及其方法制造方法及图纸

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：　制备用于发射光的光源系统；然后　制备具有图案的标线片；然后　在包括所述图案的所述标线片的上方相间隔地放置框架；然后　在所述框架和所述标线片之间的间隔中形成透明物质；然后　 　制备在其上具有光敏层的半导体晶片；然后　利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后　根据所述图案处理所述半导体晶片，以形成所述半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及制造半导体器件的装置及其方法。本 专利技术具有广泛的适用范围，尤其适用于使用标线片(retide)和薄膜(pdlicle)。
技术介绍
光学微光刻系统用于半导体器件的制造。所述光学微光刻系统可包括光 源系统、具有图案和框架的标线片系统以及半导体晶片。当光穿过标线片和 框架之间的空隙间隔(empty space)时，会发生衍射。因此，降低了由半导 体晶片上的光敏层所曝光的图案的分辨率。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及，并且尤其适 用于使用标线片和薄膜。本专利技术的实施例涉及，并且以通过 高纯度透明物质填充标线片和框架之间的空隙间隔的方式，能够减小由标线 片衍射的光的角度。本专利技术的实施例涉及用于制造半导体器件的方法，并且所述方法可包括 以下步骤中的至少一个步骤提供用于发射光的光源系统；然后提供具有图 案的标线片，以其上加载框架；然后在所述框架和所述标线片之间的空隙间 隔中形成透明物质；然后提供在其上具有光敏层的半导体晶片；然后使光穿 过所述标线片和所述透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后根据 所述图案处理所述半导体晶片，以形成所述半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：　制备用于发射光的光源系统；然后　制备具有图案的标线片；然后　在包括所述图案的所述标线片的上方相间隔地放置框架；然后　在所述框架和所述标线片之间的间隔中形成透明物质；然后制备在其上具有光敏层的半导体晶片；然后　利用所述光源系统将光透射穿过所述标线片和所述透明物质，以根据所述图案曝光所述光敏层；然后　根据所述图案处理所述半导体晶片，以形成所述半导体器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李东灿，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR