运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法技术

本发明专利技术是关于一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其于晶圆片的全部Ｐ极与Ｎ极接触点覆盖遮蔽形成一由亲水性树酯材料所构成的遮蔽层，进而于晶圆片封装设有一含有黄色（或以红色与绿色混合）荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺将该亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使Ｐ极与Ｎ极接触点可呈裸露，因此于通过切割与焊接金线等制造工艺后，即可形成一白光的发光二极管，运用此项水洗制造工艺，因Ｐ、Ｎ极接触点均呈裸露，故散热性佳，使用寿命更长，且金线不会断裂，并可避免出现光晕现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种运用水洗制造工艺的氮化镓或其它类发光二极管制法。
技术介绍
LED(Light Emitting Diode)发光二极管裸晶产生前的LED晶圆外延生长 原理，在一加热至适温的衬底基片(蓝宝石和、SiC、 Si)上，生长出特定单 晶薄膜；目前主要是采用有机金属化学气相沉积方法(简称MOCVD)，该 MOCVD方法是一项制备化合物半导体单品薄膜的技术，为使用于GaN (氮 化镓)半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管裸晶的制造。而现有可发白光的发光二极管(LED)，主要是在制造工艺中采用点胶方 式，将含有选定为黄色(或红色与绿色混合)荧光物质的硅胶封装填满于发光 二极管的裸晶，藉此以改变原本的蓝光而产生白光，但上述点胶制造工艺， 其实并不适合大量生产，不仅人工成本高昂，其产品的不良率亦偏高，且会 出现严重边缘黄色光晕现象。上述现有点胶作业，因发光二极管的裸晶完全被封装填满，裸晶上P极 与N极接触点(P-contact、 N-contact)也同时被封裹，故发光时裸晶的高温不易 散热，容易导致封装硅胶无法承受持久高温而发生变质脆化，不但亮度会降 低，且在封装硅胶脆裂断开时，也同时会造成金线断离，为此， 一般发光二 极管都只能适于低温低功率使用，可惜亮度有限，使用寿命也较短，无法朝 向高功率的照明设备去突破发展，实属美中不足。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，乃在于提供一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类 发光二极管的方法，其使用亲水性树酯材料将一晶圆片上全部的P极与N极3接触点(P-contact、 N-contact)予以遮蔽(Mask)形成一可水洗剥离的的遮蔽 层，进而于晶圆片封装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)或选定使用 各种颜色混合之荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，通过水洗制造工艺 将亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使P极与N极接触点裸露，并于通过切割 与焊接金线等制造工艺后形成一可呈现白光的发光二极管，甚至进而制造各 种颜色的发光二极管，运用此项水洗制造工艺，因P、 N极接触点均呈裸露， 故散热性佳，使用寿命更长。本专利技术的次要目的，乃在于提供一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类 发光二极管的方法，其可选择以点胶、涂布、印刷或移印等各种方式，将亲 水性树酯材料覆盖遮蔽于晶圆片上的全部P极与N极接触点而形成一可水洗剥离的遮蔽层，故非常适合大量生产实施，其成本低廉，产品良率高，且P 极与N极接触点经水洗后呈裸露，因此散热性极佳，使用寿命更长，适合作为高功率高照明的光源使用。本专利技术的又一目的，乃在于提供一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类 发光二极管的方法，由于P极与N极接触点(P-contact、 N-contact)并没有被含 有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层加以 封裹，故不仅散热性佳，也不会发生变质脆化而造成金线断离，发光亦不会 受到阻挡，因此亮度可有效提升，并避免出现严重边缘黄色光晕现象。附图说明图1为本专利技术的制造工艺示意图。 图2为晶圆片上的裸晶示意图。图3为本专利技术于P极与N极接触点覆盖亲水性树酯材料而形成遮蔽层的 状态示意图。图4为本专利技术封装一含有荧光粉的高分子无机或有机化合物质层的状态 示意图。图5为本专利技术通过水洗将遮蔽层除去而使P极与N极接触点裸露的状态示意图。图6为本专利技术在P极与N极接触点焊接金线的状态示意图。 具体实施例方式以下配合附图详细说明本专利技术的特征及优点如图l所示制造工艺，本专利技术所为运用水洗处理制造氮化镓或其它类 发光二极管的方法，主要是将一晶圆片上的全部P极与N极接触点 (P-contact、 N-contact)，以亲水性树酯材料覆盖遮蔽(Mask)而形成一遮蔽层， 进而于晶圆片表面封装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分 子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺而将亲水性树酯材料的遮蔽 层除去，使P极与N极接触点呈裸露，如此于通过切割与焊接金线等后续制 造工艺，即可形成一白光的发光二极管，由于本专利技术运用水洗制造工艺，使 P、 N极接触点均全部裸露，故其散热性佳，使用寿命更长，且金线不会断 裂，并可避免出现严重边缘黄色光晕现象。图2显示本专利技术于晶圆片上每一裸晶的示意状态，为在GaN (氮化镓) 或其它类半导体材料1上的每一裸晶均形成一P极接触点(P-contact)ll及一 N极接触点(N-contact)12，当然，在晶圆片切割前，该晶圆片上布满无数个 裸晶。如图3所示，上述亲水性树酯材料2，其可选择以点胶、涂布、印刷或 移印等各种方式，而将亲水性树酯材料2 —次覆盖遮蔽于晶圆片上全部P极 与N极接触点ll、 12，以形成一可水洗剥离的的遮蔽层。如图4所示，本专利技术于P极与N极接触点11、 12覆盖亲水性树酯材料2之后，进一步于整个晶圆片表面，利用印刷、涂布、喷涂或移印等方式而封 装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合 物质层3，而下一制造工艺，则是再通过水的洗涤方式将前述亲水性树酯材 料2的遮蔽层全部除去，因此使P极与N极接触点11、12均呈裸露(如图5 )， 而于晶圆片表面留下一含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层3，以待通过切割与焊接金线4 (如图6)等现有后续 制造工艺，即可制成白光的发光二极管，甚至，该高分子无机或有机化合物 质层的荧光粉或亦可选定使用各种颜色混合的荧光物质，进而可制造各种颜 色的发光二极管。本专利技术所使用的亲水性树酯材料2，其是一种环保材，如PVA、 PVP、 PULP(木质粉)、TALC(滑石粉)或压克力、硅利康胶、美耐皿等材质，为具有 可水洗剥离的特性。依本专利技术所提供运用水洗制造工艺的白光发光二极管制法，因覆盖遮蔽 于晶圆片上全部P极与N极接触点11、 12的遮蔽层(亲水性树酯材料2 )可轻易的水洗剥离，故非常适合大量生产实施，亦无任何环保污染的虞虑，不 但成本低廉，产品良率高，且P极与N极接触点ll、 12呈裸露，因此散热性 极佳，当然使用寿命更长，很适合作为高功率高照明的光源使用。此外，也 因为P极与N极接触点11、 12并没有被含有黄色(或以红色与绿色混合)荧 光粉的高分子无机或有机化合物质层3所封裹，故即使含有黄色(或以红色 与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层3发生变质脆化，亦不 会连带影响金线4发生断离，且本专利技术的发光不会受到阻挡，亮度自可提升， 且无严重边缘黄色光晕现象。如实施例所揭示的，是本专利技术主要技术的例举说明，并非用以限定本案 技术范围，若涉及等效应用或基于前项技术手段所为简易变更或置换者，均 应视为本案技术范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：将晶圆片上的全部Ｐ极与Ｎ极接触点，以亲水性树酯材料覆盖遮蔽而形成一遮蔽层，进而于晶圆片表面封装设有一含有荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺而将亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使Ｐ极与Ｎ极接触点呈裸露，以供进行切割与焊接金线后续制造工艺，而形成一发光二极管。

【技术特征摘要】
1. 一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤将晶圆片上的全部P极与N极接触点，以亲水性树酯材料覆盖遮蔽而形成一遮蔽层，进而于晶圆片表面封装设有一含有荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺而将亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使P极与N极接触点呈裸露，以供进行切割与焊接金线后续制造工艺，而形成一发光二极管。2 .如权利要求1所述运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，所述的高分子无机或有机化合物质层的荧光粉选定使用黄色的荧光物 质。3 .如权利要求1所述运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的 方法，所述的高分...

【专利技术属性】
技术研发人员：许西岳，
申请(专利权)人：优利科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]