【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，而且特别涉及即使在施加外力的情况下 也控制使设置于半导体装置的晶体管等的元件受到损伤的半导体装 置。
技术介绍
近年来，在塑料等具有挠性的衬底上设置由晶体管等构成的集成 电路的技术已引起关注。在具有挠性的衬底上设置集成电路而形成的 半导体装置与使用诸如半导体衬底或玻璃衬底等的衬底的情况相比可 以实现轻量化、低成本等。因为具有挠性的半导体装置可以弯曲等， 所以被应用到各种领域和地方。日本专利第4015002号日本专利申请公开2006-232449号公报日本专利申请公开2007-150179号公报然而，当对具备将晶体管等元件设置于具有挠性的衬底上的集成电路的半导体装置施加诸如弯曲等的外力时，会有如下问题因产生 于半导体装置的应力而使包括于该半导体装置的晶体管等的元件受到损伤，而使晶体管等的元件的特性受到坏影响。另外，也会有如下问 题在半导体装置的制造工序中，因产生于晶体管等的元件的应力而 使该元件受到损伤，而降低产品的成品率。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种即使在对半导体装置 施加诸如弯曲等的外力的情况下也降低晶体管...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括： 具有挠性的衬底上的第一岛状膜； 所述第一岛状膜上的半导体膜； 所述半导体膜上的导电膜，其中间夹着绝缘膜；以及 所述导电膜上的第二岛状膜， 其中，所述半导体膜的整个区域与所述第一岛状膜重叠 ， 并且，所述第二岛状膜与所述半导体膜的整个区域重叠。
【技术特征摘要】
JP 2007-12-3 2007-3121631. 一种半导体装置，包括具有挠性的衬底上的第一岛状膜；所述第一岛状膜上的半导体膜；所述半导体膜上的导电膜，其中间夹着绝缘膜；以及所述导电膜上的第二岛状膜，其中，所述半导体膜的整个区域与所述第一岛状膜重叠，并且，所述第二岛状膜与所述半导体膜的整个区域重叠。2. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜和所 述第二岛状膜彼此接触。3. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜的杨 氏模量与所述半导体膜相比高。4. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第二岛状膜使用 与所述第一岛状膜相同材料而形成。5. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜由氮 化硅、氮氧化硅、金属氧化物或金属氮化物形成。6. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜的厚 度为50nm以上且200nm以下，并且所述第二岛状膜的厚度为以上且 100nm至400nm以下。7. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第二岛状膜的厚 度比所述第一岛状膜的厚度厚。8. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中所述第二岛状膜的厚 度与所述第一岛状膜的厚度相同。9. 根据权利要求l所述的半导体装置，其中第一岛状膜的厚度和 所述第二岛状膜的厚度的比率(所述第一岛状膜的厚度/所述第二岛状 膜的厚度)为l/2以下。10. —种半导体装置，包括具有挠性的衬底上的晶体管，该晶体管包括栅电极和半导体膜， 其中间夹着栅极绝缘膜；所述具有挠性的衬底上的第一岛状膜；以及所述具有挠性的衬底上的第二岛状膜，其中，所述半导体膜的整个区域与所述第一岛状膜重叠，并且，所述第二岛状膜与所述半导体膜的整个区域重叠。11. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜和 所述第二岛状膜彼此接触。12. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜的 杨氏模量与所述半导体膜相比高。13. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第二岛状膜使用与所述第一岛状膜相同材料而形成。14. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜由氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或金属氮化物形成。15. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜的 厚度为50nm以上且200nm以下，并且所述第二岛状膜的厚度为100nm以 上且400歷以下。16. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第二岛状膜的厚度比所述第一岛状膜的厚度厚。17. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第二岛状膜的厚度与所述第一岛状膜的厚度相同。18. 根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一岛状膜的厚度和所述第二岛状膜的厚度的比率(所述第一岛状膜的厚度/所述第 二岛状膜的厚度)为l/2以下。19. 一种半导体装置，包括 具有挠性的衬底上的第一下层岛状膜； 所述具有挠性的衬底上的第二下层岛状膜；所述第一下层岛状膜上的包括第一沟道形成区域和第一杂质区域 的第一半导体膜；所述第二下层岛状膜上的包括第二沟道形成区域和第二杂质区域 的第二半导体膜；在所述第一沟道形成区域上隔着第一栅极绝缘膜而设置的第一栅 电极；在所述第二沟道形成区域上隔着第二栅极绝缘膜而设置的第二栅电极；所述第一栅电极上的第一上层岛状膜； 所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，后藤裕吾，村川努，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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