层间绝缘膜的干式蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ＡｒＦ抗蚀剂或ＫｒＦ抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在０．５Ｐａ以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚合物膜的采用傅立叶变换红外分光光度计测定的光谱中，在１２００ｃｍ↑［－１］附近有Ｃ－Ｆ键的峰、在１６００ｃｍ↑［－１］附近有Ｃ－Ｎ键的峰和在３３００ｃｍ↑［－１］附近有Ｃ－Ｈ键的峰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
以往，多使用Si02作为层间绝缘膜材料，但90nm节点以下的用于 解决布线延迟问题的层间绝缘膜材料正在由Si02向低介电常数材料 (low-k)转变。当蚀刻这样的低介电常数膜以形成微细加工的槽或孔 时，作为蚀刻所用的抗蚀剂材料，提出了使用波长比以往使用的KrF 抗蚀剂材料更短的更适于高精度加工的ArF抗蚀剂材料(例如，参照 专利文献1 )。专利文献l:特开2005-72518号公报(段落(0005 )的记载等)
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，ArF抗蚀剂材料通常缺少耐等离子体性，所以随着曝光图 案变微细，在等离子体蚀刻中受损伤而容易变形。该变形直接被蚀刻 转印到抗蚀剂下的低介电常数膜上，从而产生在低介电常数膜上经微 细加工得到的槽或孔的边缘易出现条痕等粗糙(不规则)的问题。因此，本专利技术的课题在于提供解决上述现有技术的问题点的、不 产生抗蚀剂损伤的。解决课题的方法
本专利技术的是通过蚀刻气体， 一边在设 在层间绝缘膜上的ArF抗蚀剂或KrF抗蚀剂上形成聚合物膜， 一边对 层间绝缘膜进行微细加工的，其特征在于， 在0. 5Pa以下的压力下本文档来自技高网...

【技术保护点】
层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ＡｒＦ抗蚀剂或ＫｒＦ抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，　在０．５Ｐａ以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚合物膜的采用傅立叶变换红外分光光度计测定的光谱中，在１２００ｃｍ↑［－１］附近有Ｃ－Ｆ键的峰、在１６００ｃｍ↑［－１］附近有Ｃ－Ｎ键的峰和在３３００ｃｍ↑［－１］附近有Ｃ－Ｈ键的峰。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-5-24 143868/20061. 层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ArF抗蚀剂或KrF抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在0. 5Pa以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚合物膜的采用傅立叶变换红外分光光度计测定的光谱中，在1200cm-1附近有C-F键的峰、在1600cm-1附近有C-N键的峰和在3300cm-1附近有C-H键的峰。2. 权利要求1所述的层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其特征在于， 上述蚀刻气体包括CF系气体、含N气体、和低级烃气体。3. 权利要求1所述的层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其特征在于，上述蚀刻气体包括cjyiz气体、和含N气体。4. 权利要求2所述的层间...

【专利技术属性】
技术研发人员：森川泰宏，邹红红，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]