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本发明涉及层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ＡｒＦ抗蚀剂或ＫｒＦ抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在０．５Ｐａ以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚...
该专利属于株式会社爱发科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社爱发科授权不得商用。

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