【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管,通过一反射层、 一基板、一 N型氮化镓欧姆接触层、 一氮化铟镓发光层、一p型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一P型金属电极以及一N型金属电极的组合设计,以 增加该基板与该反射层的接触表面积,进而有效达到提升发光二极管 的发光效率,并增加该反射层与该基板的稳固结合力,以使该反射层 不致由该基板上脱落,而适用于发光二极管或类似结构。
技术介绍
科技的发达及日新月异,发光二极管应用于各种轻薄短小的消费 性电子产品极为广泛,而以氮化镓化合物为制作发光二极管的材料更 为技术的主流。请参照图1,为现有氮化镓发光二极管的结构示意图。该氮化镓发 光二极管以蓝宝石为一基板10,且该基板10包括 一第一表面101以 及位于该第一表面101另一侧的一第二表面102,于该基板10的该第 二表面102依序由下而上分别磊晶形成有一氮化镓缓冲层11、 一N型 氮化镓欧姆接触层12、 一氮化铟镓发光层13、 一P型氮化铝镓披覆层 14、 一 P型氮化镓欧姆接触层15以及一透光导电层16。再于该透光导 电层16及该N型氮化镓欧姆接触层12上分别形成一正电极衬垫17及 一 ...
【技术保护点】
一种发光二极管,其特征在于,包括: 一反射层,形成有周期性排列的多个凹陷部; 一基板,形成有周期性排列的多个凸出部,且对应结合于该反射层的多个凹陷部; 一N型氮化镓欧姆接触层,形成于该基板的上方; 一氮化铟镓发光层,形成于该N型氮化镓欧姆接触层的上方; 一P型氮化镓欧姆接触层,形成于该氮化铟镓发光层的上方; 一透光导电层,形成于该P型氮化镓欧姆接触层的上方; 一P型金属电极,与该透光导电层电性耦合;以及 一N型金属电极,与该N型氮化镓欧姆接触层电性耦合。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其特征在于,包括一反射层,形成有周期性排列的多个凹陷部;一基板,形成有周期性排列的多个凸出部,且对应结合于该反射层的多个凹陷部;一N型氮化镓欧姆接触层,形成于该基板的上方;一氮化铟镓发光层,形成于该N型氮化镓欧姆接触层的上方;一P型氮化镓欧姆接触层,形成于该氮化铟镓发光层的上方;一透光导电层,形成于该P型氮化镓欧姆接触层的上方;一P型金属电极,与该透光导电层电性耦合;以及一N型金属电极,与该N型氮化镓欧姆接触层电性耦合。2. 如权利要求l所述的发光二极管,其特征在于,该反射层为金 属反射层。3. 如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,该金属反射层 选自由银、铝、镍、钛、金、铂及其合金所组成的群组。4. 如权利要求l所述的发光二极管,其特征在于,该基板为蓝宝 石、氧化锌、碳化硅、玻璃、磷化镓、磷砷化镓、硒化锌、硫化锌、 硒硫化锌的其中任一者。5. 如权利要求l所述的发光二极管,其特征在于,该透光导电层 为一透光导电氧化物层。6. 如权利要求l所述的发光二极管,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈柏洲,黄国瑞,宋嘉斌,
申请(专利权)人:鼎元光电科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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