一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。使得本申请所制备得到的T形结构的底部角度较大，可以保证在溅射工艺过程中金属薄膜不能沉积在光刻胶侧壁，进一步保证了光刻胶可以完全剥离干净。离干净。离干净。

【技术实现步骤摘要】
一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体纳米加工
，尤其涉及一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]剥离工艺和腐蚀工艺都是形成光刻图形的手段，两种工艺在工艺设计中存在一定的差异，剥离工艺与常规的干法刻蚀工艺的主要区别是剥离工艺用的是物理方法，而腐蚀工艺用的是化学方法，所以两者对工艺要求的不同点是光刻图形的形貌。
[0003]剥离工艺是一些特殊工艺中形成图形的比较简单的物理方法，优点是可以使用多种材料组合，允许多层金属蒸发，允许腐蚀较困难的多层金属布线，避免了因干法和湿法腐蚀带来钻蚀和腐蚀问题。随着图形尺寸的减小，对剥离图形的线宽也要求越来越高。为了达到100纳米以下的图形剥离工艺，电子束曝光就成为必要的选择。在电子束剥离工艺中，双层胶的使用是一种常用的手段。
[0004]使用双层胶主要是为了形成倒梯形(倒T形)结构，倒T形结构可以防止在进行溅射工艺过程中金属薄膜沉积在光刻胶侧壁而导致光刻胶无法剥离干净这一现象的发生。
[0005]但是，传统的制备倒T形结构通常是先旋涂一层甲基丙烯酸甲酯(MMA)，再旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，然后将两层胶一起曝光，但是一起曝光所形成的倒T形结构的梯形结构底部角度较小，无法完全保证在溅射过程中金属薄膜不能沉积在光刻胶侧壁，无法保证光刻胶可以完全剥离干净。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备，用于解决现有制备倒T形结构无法保证光刻胶可以完全剥离干净的问题。
[0007]第一方面，本专利技术提供一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，包括：
[0008]在衬底上形成第一光刻胶层；
[0009]对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；
[0010]在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；
[0011]将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；其中，所述第一版图的尺寸大于所述第二版图的尺寸，所述第一光刻胶层的感光率大于所述第二光刻胶层的感光率；
[0012]对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。
[0013]与现有技术相比，本申请实施例提供的用于形成倒T形结构的电子束曝光装置，可以在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；其中，所述第一版图的尺寸大于所述第二版图的尺寸，所述第一光刻胶层的感光率大
于所述第二光刻胶层的感光率；对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。由于第一版图的尺寸大于第二版图的尺寸，且第一光刻胶层的感光率大于第二光刻胶层的感光率，并且两个分别对第一版图和第二版图进行曝光，使得本申请所制备得到的T形结构的底部角度较大，可以保证在溅射工艺过程中金属薄膜不能沉积在光刻胶侧壁，进一步保证了光刻胶可以完全剥离干净。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述第一版图尺寸包括所述第一版图的宽度，所述第二版图尺寸包括所述第二版图的宽度。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述第一版图的宽度比所述第二版图的宽度多至少预设宽度数值。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述预设宽度数值大于或者等于450纳米，且小于或者等于550纳米。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述第一光刻胶层包括甲基丙烯酸甲酯层，所述第二光刻胶层包括聚甲基丙烯酸甲酯层。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构，包括：
[0019]对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行显影处理，所述第一光刻胶层基于所述第一版图在所述衬底上形成第一曝光图形，所述第二光刻胶层基于所述第二版图在所述衬底上形成第二曝光图形；
[0020]其中，所述第一曝光图形和所述第二曝光图形组成所述目标光刻胶图形，所述目标光刻胶图形具有所述倒T形结构。
[0021]在一种可能的实现方式中，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶层的厚度。
[0022]第二方面，本专利技术还提供一种用于形成倒T形结构的电子束曝光装置，所述装置包括：
[0023]第一光刻胶层形成模块，用于在衬底上形成第一光刻胶层；
[0024]第一版图曝光模块，用于对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；
[0025]第二光刻胶层形成模块，用于在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；
[0026]第二版图曝光模块，用于将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；其中，所述第一版图的尺寸大于所述第二版图的尺寸，所述第一光刻胶层的感光率大于所述第二光刻胶层的感光率；
[0027]目标光刻胶图形形成模块，用于对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。
[0028]在一种可能的实现方式中，所述第一版图尺寸包括所述第一版图的宽度，所述第二版图尺寸包括所述第二版图的宽度。
[0029]在一种可能的实现方式中，所述第一版图的宽度比所述第二版图的宽度多至少预设宽度数值。
[0030]在一种可能的实现方式中，所述预设宽度数值大于或者等于450纳米，且小于或者等于550纳米。
[0031]在一种可能的实现方式中，所述第一光刻胶层包括甲基丙烯酸甲酯层，所述第二光刻胶层包括聚甲基丙烯酸甲酯层。
[0032]在一种可能的实现方式中，所述目标光刻胶图形形成模块包括：
[0033]目标光刻胶图形形成子模块，用于对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行显影处理，所述第一光刻胶层基于所述第一版图在所述衬底上形成第一曝光图形，所述第二光刻胶层基于所述第二版图在所述衬底上形成第二曝光图形；
[0034]其中，所述第一曝光图形和所述第二曝光图形组成所述目标光刻胶图形，所述目标光刻胶图形具有所述倒T形结构。
[0035]在一种可能的实现方式中，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶层的厚度。
[0036]第三方面，本专利技术还提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；和其上存储有指令的一个或多个机器可读介质，当由所述一个或多个处理器执行时，使得可以执行第一方面任一所述的用于形成倒T形结构的电子束曝光方法。
[0037]与现有技术相比，本专利技术提供的用于形成倒T形结构的电子束曝光装置及电子设备的有益效果与上述技术方案所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法的有益效果相同，此处不做赘述。
附图说明
[0038]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；其中，所述第一版图的尺寸大于所述第二版图的尺寸，所述第一光刻胶层的感光率大于所述第二光刻胶层的感光率；对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。2.根据权利要求1所述的用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，其特征在于，所述第一版图尺寸包括所述第一版图的宽度，所述第二版图尺寸包括所述第二版图的宽度。3.根据权利要求2所述的用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，其特征在于，所述第一版图的宽度比所述第二版图的宽度多至少预设宽度数值。4.根据权利要求3所述的用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，其特征在于，所述预设宽度数值大于或者等于450纳米，且小于或者等于550纳米。5.根据权利要求1所述的用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，其特征在于，所述第一光刻胶层包括甲基丙烯酸甲酯层，所述第二光刻胶层包括聚甲基丙烯酸甲酯层。6.根据权利要求1所述的用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，其特征在于，所述对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构，包括：对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行显影处理，所述第一光刻胶层基于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓彬，李亭亭，刘金彪，唐波，杨涛，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：