用于衬底处理室的带状屏蔽制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于衬底处理室的带状屏蔽，它具有圆筒形壁，圆筒形壁具有穿过其的切口。凸缘从圆筒形壁的底端沿径向向外延伸。壳体从圆筒形壁的顶端沿径向向外延伸并环绕切口连接到凸缘。圆筒形壁、凸缘和壳体，它们的至少部分表面具有小于约１６微英寸的表面粗糙度平均值，从而使这些表面暴露于衬底处理室中的处理环境时，其上产生的沉积物较少。屏蔽的垂直壁在排气端口附近没有任何梁或其他突出物，从而提高了排气导通性。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

用于衬底处理室的带状屏蔽
本专利技术涉及用于衬底处理室的带状屏蔽。技术背景电子电路和显示器的制造中，在衬底(例如半导体晶片、陶瓷或玻璃 衬底)上形成半导体、电介质和导电体。这些材料通过例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、离子注入、氧化或氮化处理而形成。 此后，对所沉积的衬底材料进行刻蚀以形成特征(例如门电路、过孔、接 触孔和互连线路)。在通常的处理中，衬底置于室中处理区域的支撑上， 并暴露于热量或气体等离子体以在衬底上进行材料的沉积或刻蚀。室具有 封闭的壁，并由泵(例如低真空泵和涡轮分子泵)进行抽气。还可以用图1所示的带状屏蔽20来保护壁不受腐蚀，并由其来承受 室中正在进行的处理造成的处理沉积物。带状屏蔽20通常由陶瓷材料制 成，并形成为与室壁至少部分共形。 一种示例性的现有带状屏蔽20包括 圆筒形侧壁22，圆周形顶部凸缘24从侧壁22的顶端26沿径向向外延 伸，圆周形底部凸缘28从侧壁22的底端30沿径向向外延伸。顶部凸缘 24耦合到衬底处理室中的外部屏蔽(未示出)，底部凸缘28置于壁架 上。带状屏蔽20包括带有切口 34的前侧32和与前侧相对的后侧36本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于衬底处理室的带状屏蔽，其特征在于，所述带状屏蔽包括：ａ）具有切口、顶端和底端的圆筒形壁；ｂ）从所述圆筒形壁的所述底端沿径向向外延伸的凸缘；ｃ）从所述圆筒形壁的所述顶端沿径向向外延伸的壳体，所述壳体环绕所述切口 并连接到所述凸缘，并且其中，所述圆筒形壁、所述凸缘以及所述壳体的表面至少部分地具有小于约１６微英寸的表面粗糙度平均值，从而这些表面暴露于所述衬底处理室中的处理环境时，其上产生的沉积物较少。

【技术特征摘要】
US 2005-11-19 11/282,1791.一种用于衬底处理室的带状屏蔽，其特征在于，所述带状屏蔽包括a)具有切口、顶端和底端的圆筒形壁；b)从所述圆筒形壁的所述底端沿径向向外延伸的凸缘；c)从所述圆筒形壁的所述顶端沿径向向外延伸的壳体，所述壳体环绕所述切口并连接到所述凸缘，并且其中，所述圆筒形壁、所述凸缘以及所述壳体的表面至少部分地具有小于约16微英寸的表面粗糙度平均值，从而这些表面暴露于所述衬底处理室中的处理环境时，其上产生的沉积物较少。2. 根据权利要求1所述的带状屏蔽，其特征在于，所述壳体基本上只 围绕所述切口延伸。3. 根据权利要求1所述的带状屏蔽，其特征在于，所述圆筒形壁顶端 的至少50%周边是基本上垂直终止的。4. 根据权利要求1所述的带状屏蔽，其特征在于，绕所述壳体的所述 圆筒形壁的所述顶端没有径向延伸的凸缘。5. 根据权利要求1所述的带状屏蔽，其特征在于，所述带状屏蔽由电 介质材料制成。6. 根据权利要求5所述的带状屏蔽，其特征在于，所述电介质材料包 括氧化铝。7. —种衬底处理室，包括根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李威帝，史蒂夫乔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]