半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，在执行第三等离子体刻蚀工艺以刻蚀氮氧化层与氮化层之前，先执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除部分厚度的氮氧化层，可以减少氮氧化层与氮化层的总厚度，后续执行第三等离子体刻蚀工艺时，可以减少氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间，由此避免因图形化的光刻胶层返工造成的氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间超出预定的刻蚀时间，从而解决因机台停机而造成的器件良率低的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造工艺
，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体制造技术需要在半导体结构上进行多种不同的物理和化学工艺，光刻制程则是半导体制造技术最重要的制程之一。在整个集成电路的制造过程当中可能需要进行多次光刻工艺，因此光刻胶涂布不理想也会经常发生，例如涂胶失败，造成光刻胶层残留缺陷或均匀性差，或者线宽和上下层对准层存在较大误差等，这时就需要对半导体结构的表面进行返工(rework)，即需要将带有缺陷的图形化的光刻胶层去除，然后重新形成图形化的光刻胶层。
[0003]在半导体器件如金属氧化物半导体场效应器件(Metal oxide semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)的制造过程中，通常会使用氮化层作为硬掩膜层，与图形化的光刻胶层配合使用，即图形化的光刻胶层通常形成于硬掩膜层上，当对图形化的光刻胶层进行返工时，需要利用含有氧气的刻蚀气体将图形化的光刻胶层去除，在此过程中，刻蚀气体中的氧气会与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有介质层、氮化层以及待去除的图形化的第一光刻胶层；执行第一等离子体刻蚀工艺，以去除所述图形化的第一光刻胶层，其中，所述第一等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括氧气，以及在执行所述第一等离子体刻蚀工艺中，所述图形化的第一光刻胶层底部部分厚度的所述氮化层被氧化而形成氮氧化层；在所述氮氧化层上形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层具有一光刻胶开口，所述光刻胶开口底部暴露出部分所述氮氧化层；执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除所述光刻胶开口底部部分厚度的所述氮氧化层；以及，执行第三等离子体刻蚀工艺，以去除所述光刻胶开口底部剩余的所述氮氧化层及所述氮化层；其中，所述第二等离子体刻蚀工艺对所述氮氧化层的刻蚀速率大于或者等于所述第三等离子体刻蚀工艺对所述氮化层的刻蚀速率，以及在执行所述第三等离子体刻蚀工艺的过程中，通过光学检测确定刻蚀终点以使刻蚀停止在所述介质层表面。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过到达时间刻蚀停止的方式执行所述第二等离子体刻蚀工艺，以及通过如下公式预定所述第二等离子体刻蚀工艺的刻蚀时间：t=B（a
‑
b）/a*c；其中，t表示第二等离子体刻蚀工艺的刻蚀时间；B表示氮氧化层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖军，沈安星，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：