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本发明提供一种半导体器件的制造方法，在执行第三等离子体刻蚀工艺以刻蚀氮氧化层与氮化层之前，先执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除部分厚度的氮氧化层，可以减少氮氧化层与氮化层的总厚度，后续执行第三等离子体刻蚀工艺时，可以减少氮氧化层和氮化层的总刻...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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