光刻薄膜层的形成方法技术

本申请公开了一种光刻薄膜层的形成方法，包括：在衬底上形成线形氧化层，衬底中形成有沟槽和/或通孔；在线性氧化层上形成HMDS层；在HMDS层上进行第一次SOC填充，形成第一SOC层；进行烘烤；在第一SOC层上进行第二次SOC填充，形成第二SOC层。本申请通过在光刻工艺的涂胶工序之前，通过形成线性氧化层，在线形氧化层上形成HDMS层以改善衬底、沟槽和通孔表面的疏水性，从而降低SOC脱胶的几率，通过在形成第一SOC层后进行烘烤以排除第一SOC层中的气泡，进而降低了形成的SOC层在沟槽和/或通孔表面产生空隙或气泡，以及产生脱胶现象的几率，提高了器件产品的可靠性和良率。了器件产品的可靠性和良率。了器件产品的可靠性和良率。

【技术实现步骤摘要】
光刻薄膜层的形成方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种光刻薄膜层的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造业中，光刻工艺是最为重要的工序之一。在先进制程(40纳米及以下的工艺节点)的光刻工艺中，光阻的厚度较小，仅仅覆盖光阻无法满足刻蚀阻挡的要求。
[0003]鉴于此，相关技术中提供了一种光刻方法，其包括：在衬底表面形成平坦化底层抗反射层(又称为“旋涂的碳”层，spin
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on
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carbon，SOC层)；在SOC层上形成硬掩模层；在硬掩模层上覆盖光阻；进行曝光、显影。其中，在光刻过程中形成SOC层的目的主要是使高低不平的衬底平坦化，或者填充衬底中形成的沟槽或通孔，且其具有一定的消除衬底反射的作用，形成的SOC层是否平坦对后续的光刻和刻蚀都会产生影响。
[0004]然后，相关技术中提供的光刻方法，在形成SOC层后，会有较高的几率在衬底的沟槽或通孔中产生空隙或气泡，且会造成SOC层和槽壁或孔壁脱离，从而影响到后续的刻蚀工艺，进而降低了器件的可靠性和良率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻薄膜层的形成方法，其特征在于，所述方法应用于光刻工艺中，所述方法包括：在衬底上形成线形氧化层，所述衬底中形成有沟槽和/或通孔；在所述线性氧化层上形成HMDS层；在所述HMDS层上进行第一次SOC填充，形成第一SOC层；进行烘烤；在所述第一SOC层上进行第二次SOC填充，形成第二SOC层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述线性氧化层上形成HMDS层后，所述衬底的表面接触角大于70度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述线性氧化层上形成HMDS层，包括：通过至少两次旋转喷涂HMDS，在所述线性氧化层上形成所述HMDS层。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一次SOC填充，包括：在转速为0的状态下持续时间t0；在第一转速下进行旋转喷涂SOC，持续时间t1；在第二转速下进行旋转喷涂SOC，持续时间t2，所述第二转速大于所述第一转速...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：