发光二极体制造技术

本创作是有关于一种发光二极体，其包含有一散热体，散热体设有一基板，而基板上设置有一发光二极体晶片，设有一穿孔的一透光环，藉由穿孔而设置于散热体，一封装体设于该穿孔，以封装固定发光二极体晶片，本创作的透光环，可使发光二极体晶片所发出的光线直接穿透，使发光二极体出光角度变大，提高照射范围。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种发光二极体，特别是指一种可侧边发光的发光二极体，以提高发光二极体的光线的出光角度，进而增加照射范围。
技术介绍
随着科技的发展与时代的进步，现代社会对照明的要求已不再只是追求光亮度，新世代照明已进入省电、环保的阶段，而半导体所制作而成的照明设备，便是符合新世代照明观念的重要专利技术，其中最受瞩目的即为发光二极体，由于发光二极体发光机制有别于现有一般光源，各先进国家均纷纷的投入相关技术研究与发展，因发光二极体具有高光电转换效率、高亮度、体积小、耐冲击、低发热、波长固定、耐用等优点，所以已被用来替代传统电灯泡及交通灯。又，由于发光二极体耗电量低，若以发光二极体代替所有照明设备，每年可省下不少电力，间接减少火力发电厂的发电量，减少燃烧时所产生的二氧化碳，进而抑制了温室效应，因此发光二极体已被全球学家视为二十一世纪的照明光源，未来渴望取代现今所有照明设备。请参阅图1，其为习用发光二极体的结构示意图；如图所示，其包含一基座10，该基座10设有一凹槽15，该凹槽15两侧壁具有一斜度，该凹槽15内并设置有一基板20，基板20用以设置一发光二极体晶片30，此外藉由一封装体40封装于凹槽15，以可固定发光二极体晶片30，发光二极体晶片30所发出的光线经由凹槽15的两侧壁反射后，再发射出凹槽15，如此光线的部分能量会被吸收，而减弱光线亮度，且会造成光线的出光角度变的狭小，降低发光二极体的照射范围。因此，本技术针对上述问题而提出一种发光二极体，其不仅可增加出光角度，以提高照射范围，且可避免发光二极体发射的光线强度降低，使可解决上述的问题。新型内容本技术的主要目的，在于提供一种发光二极体，其可提高发光二极体发射光线的出光角度，进而提高发光二极体光线照射的范围，增加发光二极体照射的性能。本技术的另一目的，在于提供一种发光二极体，其使发光二极体晶片所发射的光线可直接穿透出发光二极体，避免光线能量减低，以提高发光二极体光线的照射强度。本技术的又一目的，在于提供一种发光二极体，其可便于安装散热基座，藉此增加散热效率，以延长发光二极体的使用寿命。本技术提供一种发光二极体，其包含有一散热体，散热体设置有一基板，基板设有一发光二极体晶片，一透光环藉由所设的一穿孔设置于散热体，而基板与发光二极体晶片系容置于该穿孔，此外穿孔更设有一封装体，以封装固定穿孔内的发光二极体晶片，本创作因透光环具透光性，所以可使发光二极体晶片所发射的光线可直接穿透，即为侧边发光，如此可提高发光二极体之出光角度，且可避免光线的能量降低。附图说明图1为习用发光二极体的结构示意图；图2为本技术较佳实施例的结构示意图；图3为本技术较佳实施例的透光环的结构示意图；图4为本技术另一较佳实施例的结构示意图；图5为本技术又一较佳实施例的结构示意图；图6为本技术又一较佳实施例的结构示意图。图号说明10基座 15凹槽 20基板30发光二极体晶片 40封装体 50散热体51凹槽 52散热基座 56外螺纹60基板 70发光二极体晶片 80透光环82容置孔 84固定孔 86螺孔实施方式 为使审查员对本技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例及配合详细的说明，说明如后请参阅图2与图3，其为本技术较佳实施例的结构示意图与本创作的透光环的结构示意图，本技术发光二极体包含有一散热体50、一基板60、一发光二极体晶片70、一透光环80以及一封装体90，散热体50为一金属体，基板60设置于散热体50，发光二极体晶片70设置于基板60，透光环80设有一穿孔，其包含有一容置孔82与一固定孔84，固定孔84设置于透光环80的底部，且固定孔84的孔径大于容置孔82的孔径。透光环80是藉由固定孔84与散热体50胶合，以固设于散热体50，而基板60与发光二极体晶片70容置于容置孔82内，此外，透光环80之穿孔可仅为相同孔径的贯穿孔，而不需有容置孔82与固定孔84之别，如此具相同孔径的穿孔的透光环80于胶合在散热体50时，必须控制透光环80的胶合深度，避免发光二极体晶片70外露。封装体90可为树脂，其填充于穿孔的容置孔82，以将发光二极体晶片70封装固定于容置孔82，本创作因透光环80具有透光性质，故发光二极体晶片70所发射的光线可直接穿透出透光环80，即直接穿透出发光二极体，故本技术的发光二极体为侧边发光，如此光线发射出的角度即不会受到限制，即提高发光二极体的出光角度，进而提高发光二极体可照射的范围，此外，由于发光二极体晶片70所发射的光线可直接穿射出透光环80，所以可降低光线所消耗的能量，提升发光二极体的光线强度。另外，如欲使发光二极体发射不同于发光二极体晶片70所产生的光线，其可于封装体90掺杂荧光粉，如此发光二极体晶片70所发射的光线能量，将被封装体90掺杂的荧光粉吸收，而释放出另一波长的光线，即改变了发光二极体晶片70所发射的光线的颜色，而得到欲使用的颜色光线，如此可提高发光二极体的用途，同理具透光性的透光环80，于制作过程中，亦可添加荧光粉，以可进行混光，如此可提高混光的均匀度，避免产生混光不均匀的问题。请参阅图4，其为本技术另一较佳实施例的结构示意图；如图所示，此实施例不同于上一实施例在于，散热体50设有定位用的一凹槽51，基板60设于凹槽51内，如此可使基板60更轻易设置于散热体50，发光二极体于使用时，电能经由发光二极体转换成光线发射出去，当发光二极体晶片70于发射光线时，将随带产生热能，此热能会对发光二极体的使用寿命产生影响，此实施例为了降低积留于发光二极体的热能，减少发光二极体受热能的影响，进而延长发光二极体的使用寿命，本创作的散热体50更可进一步增设一散热基座52，且散热基座52与散热体50可形成为一体。请参阅图5，其为本技术又一较佳实施例的结构示意图；如图所示，此实施例不同于上一实施例在于，此实施例的透光环80为长筒形，而固定孔84的深度是相对增加，如此即可藉由套设的方式直接将透光环80套合于散热体50，以方便与散热体50组设为一体，此实施例如图2实施例所述，透光环80的穿孔可仅为相同孔径的贯穿孔，而不需有容置孔82与固定孔84之别，而直接藉由穿孔套合于散热体50。请一并参阅图6，其为本技术又一较佳实施例的结构示意图；如图所示，此实施例不同于图4实施例在于透光环80的固定孔84，更设有内螺纹而为一螺孔86，而散热体50顶部相对设有外螺纹56，如此透光环80即可藉由螺孔86与外螺纹56的配合，而螺设于散热体50，此实施例如图2实施例所述，透光环80的穿孔可仅为相同孔径的贯穿孔，而不需有容置孔82与固定孔84之别，而直接在相同孔径的穿孔底部设置适当深度的内螺纹而为螺孔，即可与散热体50的外螺纹56相配合。综上所述，本技术发光二极体，其是藉由散热体设置基板，基板上设置发光二极体晶片，具有透光性质的透光环则设于散热体，而基板与发光二极体晶片是容置于透光环的穿孔，如此发光二极体晶片所发射的光线，可直接穿射出透光环两侧，而不受限制，即本创作的发光二极体系以侧边发光，可提高光线的出光角度，提高发光二极体饿照射范围，且因光线直接穿透出透光环，故可降本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极体，其特征在于，其包含有：　　　　一散热体；　　　　一基板，设置于该散热体；　　　　一发光二极体晶片，设置于该基板；　　　　一透光环，其设有一穿孔，用于设置该透光环在该散热体，该基板与该发光二极体晶片位在该穿孔内；　　　　一封装体，设于该穿孔，封装固定该发光二极体晶片。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极体，其特征在于，其包含有一散热体；一基板，设置于该散热体；一发光二极体晶片，设置于该基板；一透光环，其设有一穿孔，用于设置该透光环在该散热体，该基板与该发光二极体晶片位在该穿孔内；一封装体，设于该穿孔，封装固定该发光二极体晶片。2.如权利要求1所述的发光二极体，其特征在于，该散热体底部更设置一散热基座。3.如权利要求2所述的发光二极体，其特征在于，该散热体与该散热基座形成为一体。4.如权利要求1所述的发光二极体，其特征在于，该散热体顶端更设有一凹槽，该基板设置于该凹槽。5.如权利要求1所述的发光二极体，其特征在于，该透光环的该穿孔包含有一容置孔与一固定孔，该固定孔的孔径大于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炎成，曾庆霖，郭云涛，张铭利，畲庆威，王重凯，
申请(专利权)人：佰鸿工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]