一种大功率发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率发光二极管，其特征是：发光二极管芯片（１）无电极端向上，通过荧光粉粘于透明体（２）上，芯片周围有反光器（３），并隔离两电极体（４），芯片及反光器下面与导热热沉体（５）用导热绝缘胶粘合。优点在于：结构独特，利用倒装技术彻底解决了因电极线的遮挡而影响了发光效果并产生了高热量。从而实现降低热量，通过无电极面而得到了１００％的发光效果。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种大功率发光二极管，特别是一种大功率芯片倒装发光二极管。技术背景半导体照明是21世纪最具发展前景的高
之一。90年代以来，随着氮化镓为代表的第三代半导体材料的兴起，蓝色和白色发光二极管(LED)的研究成功，作为新型固态光源，半导体照明光源将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一飞跃。我国是仅次于美国的第二大发电大国，2002年度我国发电总量为1.65万亿千瓦时，其中1.34万亿千瓦时为火力发电，照明用电量约占总发电量的12％，相当于三峡水电站总发电量840亿千瓦时的2.4倍，并且正以每年5％以上的速度增长。而半导体照明耗电量是白炽灯的1/8，是荧光灯的1/2，其寿命约为白炽灯的20-30倍，是荧光灯的10倍，是节能与环保的“富矿”，应尽快发展。半导体照明的最关键部件是发光二极管。LED具有体积小、功耗低、响应快、可靠性高等特点。但目前的发光二极管功率小，为了达到照明的需要，必须集中许多个LED光源才能达到设计要求，带来的缺点是线路异常复杂，散热不畅，为了平衡各个LED单体之间的电流、电压关系必需设计复杂的供电电路。相比之下，大功率LED单体的功率远大于小功率单个LED的总和。但是对于大功率LED大的耗散功率、大的发热量和要求高的出光效率就无法用简单的套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料能解决的。目前采用的大功率芯片做照明光源在正装时由于芯片电极线的遮挡，使发光效果受到很大影响，产生高发热量而无法正常使用。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种大功率发光二极管，特别是一种大功率芯片倒装发光二极管，增加发光效率、解决散热问题。本技术大功率发光二极管芯片(1)无电极端向上，通过荧光粉粘于透明体(2)上，透明体(2)上是一个上半部为半球形下半部为倒锥台形的散光体(6)，芯片(1)周围散光体下半部外壁有反光器(3)，并隔离两电极体(4)，芯片及反光器下面与导热热沉体(5)用导热绝缘胶粘合。本技术采用合理的芯片倒装技术，优点在于结构独特，利用倒装技术彻底解决了因电极线的遮挡而影响了发光效果并产生了高热量。从而实现降低热量，通过无电极面而得到了100％的发光效果。附图说明1——二极管芯片2——透明体 3——反光器4——电极体5——导热热沉体 6——散光体具体实施方式以下结合附图进一步说明本技术。大功率发光二极管芯片(1)无电极端向上，通过荧光粉粘于透明体(2)上，透明体(2)上是一个上半部为半球形下半部为倒锥台形的散光体(6)，芯片(1)周围散光体下半部外壁周围涂有反光材料成反光器(3)，并隔离两电极体(4)，电源线从两电极体引出，芯片及反光器下面与导热热沉体(5)用导热绝缘胶粘合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率发光二极管，由芯片、电极体等组成，其特征是：发光二极管芯片（１）无电极端向上，通过荧光粉粘于透明体（２）上，透明体（２）上是一个上半部为半球形下半部为倒锥台形的散光体（６），芯片（１）周围散光体下半部外壁有反光器（３），并隔离两电极体（４），芯片及反光器下面与导热热沉体（５）用导热绝缘胶粘合。

【技术特征摘要】
1.一种大功率发光二极管，由芯片、电极体等组成，其特征是发光二极管芯片(1)无电极端向上，通过荧光粉粘于透明体(2)上，透明体(2)上是一个上半部为半球...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋光，孙建国，
申请(专利权)人：威海科华照明工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]