一种大功率聚光反射发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率聚光反射发光二极管，由二极管光源、聚光体和散光体等组成，其特征是：二极管光源（１）置于一个聚光体（２）中央底部，聚光体（２）上是一个半球形散光体（３），聚光体周围涂有反光材料。本实用新型专利技术结构独特，可以聚光反射，增加了发光效率，达到了近１００％的发光效果。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种大功率发光二极管，特别是一种大功率聚光反射芯片倒装发光二极管。技术背景半导体照明是21世纪最具发展前景的高
之一。90年代以来，随着氮化镓为代表的第三代半导体材料的兴起，蓝色和白色发光二极管(LED)的研究成功，作为新型固态光源，半导体照明光源将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一飞跃。我国是仅次于美国的第二大发电大国，2002年度我国发电总量为1.65万亿千瓦时，其中1.34万亿千瓦时为火力发电，照明用电量约占总发电量的12％，相当于三峡水电站总发电量840亿千瓦时的2.4倍，并且正以每年5％以上的速度增长。而半导体照明耗电量是白炽灯的1/8，是荧光灯的1/2，其寿命约为白炽灯的20-30倍，是荧光灯的10倍，是节能与环保的“富矿”，应尽快发展。半导体照明的最关键部件是发光二极管。LED具有体积小、功耗低、响应快、可靠性高等特点。但目前的发光二极管功率小，二极管发出的光无聚光反射，使发光效果受到很大影响，光效率低。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种大功率聚光反射发光二极管，二极管发出的光可以聚光反射，增加发光效率。本技术将二极管光源(1)置于一个聚光体(2)中央底部，聚光体(2)上是一个半球形散光体(3)，聚光体为圆锥体或抛物面体，聚光体周围涂有反光材料。本技术优点在于结构独特，可以聚光反射，增加了发光效率。附图说明1——二极管光源2——聚光体3——散光体具体实施方式以下结合附图进一步说明本技术。将二极管光源(1)置于一个聚光体(2)中央底部，聚光体(2)上是一个半球形散光体(3)，聚光体为圆锥体或抛物面体，聚光体周围涂有反光材料。

【技术保护点】
一种大功率聚光反射发光二极管，由二极管光源、聚光体和散光体等组成，其特征是：二极管光源（１）置于一个聚光体（２）中央底部，聚光体（２）上是一个半球形散光体（３），聚光体周围涂有反光材料。

【技术特征摘要】
1.一种大功率聚光反射发光二极管，由二极管光源、聚光体和散光体等组成，其特征是二极管光源(1)置于一个聚光体(2)中央底部，聚光体(2)上是一个半球形散光体(3)，聚光...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙建国，宋光，吴鹏，
申请(专利权)人：吴鹏，孙小健，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]