一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构技术

本发明专利技术涉及到单晶硅压力传感器的制造方法及其结构。本发明专利技术提供了一种单晶硅压力传感器单面加工的新方法和单晶硅绝对压力传感器的盒式结构。本发明专利技术具有制造工艺简单、成品率高、成本低，与集成电路工艺兼容性好等优点。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到单晶硅压力传感器的一种制造方法及结构。单晶硅压力传感器作为压力、力、流量、流速及加速度等各种力学量的测量手段被广泛用于国民经济、国防建设的许多重要领域，由于其具有独特的集成优势，所以随着计算机的高速发展和系统集成技术的出现，它的应用范围越来越广。因此，单晶硅压力传感器的制造方法及其结构的研究已为本领域的技术人员所关注。目前制造单晶硅压力传感器最常用的方法是利用双面加工技术，通过背面腐蚀来获得压力敏感膜，附图1给出了这种方法制造单晶硅压力传感器的工艺流程及其结构首先在图1(a)的原始P型(100)面硅片上外延生长一层所需厚度的N型外延层，形成图1(b)，然后利用常规工艺在图1(b)的外延片上制备压敏元件如图1(c)，通过双面光刻在制有压敏元件的图1(c)的硅片背面刻出腐蚀孔并将其正面保护，利用电化学腐蚀技术将刻有腐蚀孔的地方腐蚀至外延层，形成压力敏感膜如图1(d)，最后将图1(d)的硅片划成芯片，利用静电封接技术将单个芯片与硼硅玻璃封接在一起如图1(e)所示，再将图1(e)的芯片封装在管壳中，即完成了单晶硅压力传感器的制造，其管芯结构如图1(e)所示，这种制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单面加工单晶硅压力传感器的制做方法，其特征是首先在下层硅上产生出至少一个空腔，然后将另一上层硅与下层硅封接在一起并减薄上层硅至所需厚度，在下层硅空腔上获取硅压力敏感膜，形成硅盒结构，再利用常规工艺在硅压力敏感膜上制做压敏元件，最后划片封装制成单晶硅绝对压力传感器或传感器阵列。

【技术特征摘要】
1.一种单面加工单晶硅压力传感器的制做方法，其特征是首先在下层硅上产生出至少一个空腔，然后将另一上层硅与下层硅封接在一起并减薄上层硅至所需厚度，在下层硅空腔上获取硅压力敏感膜，形成硅盒结构，再利用常规工艺在硅压力敏感膜上制做压敏元件，最后划片封装制成单晶硅绝对压力传感器或传感器阵列。2.按照权利要求1所说的单面加工单晶硅压力传感器的制做方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志坚，罗跃林，郑心，刘理天，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]