【技术实现步骤摘要】
本专利技术与整平装置有关。本专利技术尤其涉及用于对半导体芯片宏观平的表面进行整平的装置，以露出在半导体芯片上已经构成的并被芯片的宏观平的表面所复盖和在其下面的微观细微结构。另一方面，本专利技术与能方便地以相同速率清除处理半导体芯片表面上硬材料区和软材料区的所述类型的半导体整平装置有关。研磨半导体材料的组合衬垫在本领域内已众所周知。例如可见杰考伯逊等人的美国专利3504457。该专利公开了一种组合或多层的衬垫，它包括弹性的海绵聚氨脂研磨层或薄膜23，中等弹性的Corfam层20和化学惰性的较硬腈橡胶层35。在杰考伯逊组合研磨衬垫中，衬垫的弹性较好层贴近半导体，而较硬腈橡胶层则离被研磨的半导体较远些。虽然杰考伯逊衬垫之类的弹性衬垫在研磨半导体材料中已被长期使用和认可，但对于有一些区域高于(低于)其他区域的半导体基片，或有一些区域比其他较硬区域较软，更易研磨和整平的半导体表面，这种传统的弹性衬垫结构看来并不能迅速均匀地整平其宏观或微观扁平的半导体表面。尤其是，传统的衬垫往往座落在高区域边缘上或其周围，因此使高区域呈现圆墩形。在光刻工艺中半导体材料表面的整平和弄平尤...
【技术保护点】
用于整平片材的装置，该材料包括宏观平坦底表面，至少有一对细微结构，该对细微结构各与所述底表面连接，各有与所述底表面隔开的外表面，各从所述底表面伸出一个基本相等的距离，并相互间隔距离小于５００微米，在所述细微结构和所述底表面上复盖和延伸一涂层，所述涂层的构成工作面的外表面是宏观平坦的，所述装置包括（ａ）整平衬垫装置，该衬垫装置包括（ｉ）一个基底，（ｉｉ）第一弹性材料层，它与所述基底连接，并有与所述基底相隔开的外表面，当所选的４磅／英寸↑［２］至２０磅／英寸↑［２］范围内的某压强作用在所述第一层上时，该层的静压模量对于每磅／英寸↑［２］压强为小于２５０磅／英寸↑［２］，（ｉｉｉ...
【技术特征摘要】
US 1992-1-31 829,7361.用于整平片材的装置，该材料包括宏观平坦底表面，至少有一对细微结构，该对细微结构各与所述底表面连接，各有与所述底表面隔开的外表面，各从所述底表面伸出一个基本相等的距离，并相互间隔距离小于500微米，在所述细微结构和所述底表面上复盖和延伸一涂层，所述涂层的构成工作面的外表面是宏观平坦的，所述装置包括(a)整平衬垫装置，该衬垫装置包括(i)一个基底，(ii)第一弹性材料层，它与所述基底连接，并有与所述基底相隔开的外表面，当所选的4磅/英寸2至20磅/英寸2范围内的某压强作用在所述第一层上时，该层的静压模量对于每磅/英寸2压强为小于250磅/英寸2，(iii)第二弹性材料层，它与至少一部分所述外表面连接，它有与所述外表面相隔开的整平表面，用以接触和研磨所述涂层，从而露出所述上表面，并当所述所选的压强作用在所述第二层上时，该层的静压模量大于所述第一层的静压模量，和(iv)在所述第二层的所述整平表面上有液体浆状的研磨料；(b)夹持装置，用以夹持所述片材，使其所述工作面面对并接触构成下列一对中的至少一个(i)所述整平表面，和(ii)所述浆状研磨料；和(c)动力装置，用以使所述整平衬垫装置和所述夹持装置的至少其中一个相对于所述衬垫装置和所述夹持装置的另一个移动，使得所述衬垫装置和所述夹持装置的所述一个的移动导致所述研磨料和所述整平表面接触并研磨所述工作面；所述整平表面至少微观上整平所述工作面，以暴露所述细微结构的所述外表面，使得所述工作面和所述外表面总体来说达到微观平坦和共平面的，所述外表面每个终止于和贴近于所述工作面。2.权利要求1的所述装置，其特征在于(a)每个所述细微结构包括至少一个从所述底表面向外延伸的并终止于所述外表面的侧面;(b)所述涂层;(ⅰ)在用所述衬垫装置整平所述底表面以前，复盖所述侧面和在其上延伸，(ⅱ)在所述底表面被整平并露出所述外表面以后，复盖所述侧面和在其上延伸，和(ⅲ)具有大于所述细微结构从所述底表面伸出的所述距离的最小厚度。3.权利要求2的所述装置，其特征在于所述细微结构从所述底表面伸出的所述距离在0.3至2.0微米的范围内。4.权利要求3的所述装置，其特征在于所述材料是半导体材料，所述细微结构各具有0.3至2.0微米范围内的一宽度。5.一种用于整平装置的研磨衬垫，所述衬垫包括(a)一种第一弹性基底材料层，该材料的静压模量为当大约4磅/英寸2至20磅/英寸2范围内的所选压强作用在所述第一层材料上时，对于每磅/英寸2压强小于约250磅/英寸2;和(b)第二整平层，该层的静压模量为当所述所选压强作用在所述第二材料层上时，对于每磅/英寸2压强大于约400磅/英寸2;所述衬垫可以被固定在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：TC海德，JVH罗伯特斯，
申请(专利权)人：韦斯特克系统有限公司，罗德尔有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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