【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁敏感元件，特别是磁敏电阻及其制造工艺。已有磁敏电阻为霍尔元件，它由芯片和芯片引出角构成，其芯片采用锑化铟、砷化镓等半导体材料制成，因此该产品温度特性差，怕冲击、振动，灵敏度低。本专利技术的目的是提供一种灵敏度高，温度特性好，坚固耐用稳定可靠，寿命长，且易于制造的强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺。为达到上述目的，本专利技术强磁性金属薄膜磁敏电阻的芯片是由衬底片和衬底片上的镍、钴合金镀层构成，镍、钴合金镀层形成两个完全相同的具有遇回状的电阻条相互垂直地配置，具有三个引出端，引出端连芯片引出角，芯片外是塑封层。衬底片可为硅外延片、陶瓷片和玻璃片中任一种。制造上述强磁性金属薄膜磁敏电阻，其制造工艺依次为材料清洗处理、蒸镀合金薄膜、光刻腐蚀、划片、超声压焊、涂油、封装、高低温老化和功率老化各工序组成。第一工序材料清洗处理把衬底片放入烧杯中，依次用甲苯、丙酮、乙醇各超声清洗两分钟，再用去离子水冲洗，清洗至无油污，光亮为止。再用乙醇脱水后，置于装有乙醇的容器中。第二工序蒸镀合金薄膜把经过清洗处理的衬底片和按重量百分比为含镍77%～81%，含钴19%～23...
【技术保护点】
强磁性金属薄膜磁敏电阻，由芯片和芯片引出角构成，其特征在于芯片是由衬底片和衬底片上的镍、钴合金镀层构成，镍、钴合金镀层形成两个完全相同的具有遇回状的电阻条（１）相互垂直地配置，具有三个引出端（２）、（３）、（４），引出端连芯片引出角（５）、（６）、（７），芯片外是塑封层（８）。
【技术特征摘要】
1.强磁性金属薄膜磁敏电阻，由芯片和芯片引出角构成，其特征在于芯片是由衬底片和衬底片上的镍、钴合金镀层构成，镍、钴合金镀层形成两个完全相同的具有遇回状的电阻条(1)相互垂直地配置，具有三个引出端(2)、(3)、(4)，引出端连芯片引出角(5)、(6)、(7)，芯片外是塑封层(8)。2.根据权利要求1所述的磁敏电阻，其特征在于衬底片为硅外延片、陶瓷片和玻璃片中任一种。3.强磁性金属薄膜磁敏电阻制造工艺，其特征在于依次有材料清洗处理、蒸镀合金薄膜、光刻腐蚀、划片、超声压焊、涂油、封装、高低温老化和功率老化各工序组成，其中，第一工序材料清洗处理，把衬底片放入烧杯中，依次用甲苯、丙酮、乙醇各超声清洗两分钟，再用去离...
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