使用混合电极的多晶铁电电容器异质结构制造技术

本发明专利技术披露了显示极佳抗疲劳和印记的铁电电容器异质结构，包括高导电性铂（１４）与结晶金属氧化物（１５）的混合电极和无需插入结晶定向模板的淀积于Ｓｉ－ＣＭＯＳ－相容的衬底（１１）上的铁电材料（１６）。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的领域近来，具有高结晶品位的铁电薄膜已在硅衬底上长成，其中使用了缓冲层和模板的组成以引发结晶作用和形成所需的按特定的结晶取向的材料相。例如，已在化学净洗过的[100]Si晶片上使用以氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)作为缓冲层以提供一种晶状的模板，供铜酸盐超导体后续层(如钇-钡-铜酸盐(YBCO))之生长。在美国专利No.5155658中，用一种高结晶品位的C-轴定向的YBCO为结构模板，供后续的一层假立方钛酸铅锆(PZT)钙钛矿铁电层和一层覆盖的YBCO电极层的生长，得出铁电记忆元件。然而，在Si-CMOS处理过程中呈现出高的生长温度这样一个问题。过后，立方金属氧化物(如镧-锶-钴氧化物(LSCO))的较低温度的晶体生长获得了成功，其中使用了一层钙钛矿(例如钛酸铋(BTO))模板层引发LSCO和PZT铁电覆层中的C-轴定向，正如美国专利No.5270298中所述者。铁电器件的生成的进一步改进则在美国专利No.5248564中得到了实现，其中使用铅-镧-锆-钛酸盐(PLZT)于LSCO/PLZT/LSCO异质结构中，后者可通过一层BTO，或相似的钨酸铋(BWO)模板，相容地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含具有以硅化合物打底的表面的硅衬底和生长在所述表面上的至少一种结晶铁电材料层的铁电电容器异质结构，其特征在于在所述异质结构上生长一层为所述异质结构提供导电性的金属，且又在其上生长一层金属氧化物层为所述铁电层形成一混合电容器电极衬底。

【技术特征摘要】
US 1994-11-18 08/341,7281.一种包含具有以硅化合物打底的表面的硅衬底和生长在所述表面上的至少一种结晶铁电材料层的铁电电容器异质结构，其特征在于在所述异质结构上生长一层为所述异质结构提供导电性的金属，且又在其上生长一层金属氧化物层为所述铁电层形成一混合电容器电极衬底。2.如权利要求所述的结构，其特征在于所述硅化合物选自由二氧化硅和四氮化三硅组成的组且用选自由钛、钽和二氧化钛组成的组的化合物进行打底。3.如权利要求1所述的结构，其特征在于所述金属层主要由铂组成。4.如权利要求所述的结构，其特征在于所述金属氧化物层包含一种材料的多晶生长，所述材料选自一组由镧锶钴氧化物、镧锶铬氧化物、钌氧化物以及锶钌氧化物组成的材料。5.如权利要求1所述的结构，其特征在于所述铁电层包含一种材料的多晶生长，所述材料选自由钛酸铅镧锆、钛酸钡、钛酸钡锶、钛酸铅、钛酸铋、钽酸铋锶、铌酸铋锶以及铌钽酸钾组成的材料。6.如权利要求4所述的结构，其特征在于所述铁电层材料包含1％至10％掺杂材料，所述材料选自一组由镧和铌组成的材料。7.一种制备铁电电容器异质结构的方法，包括在具有打底过的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：R雷米西，
申请(专利权)人：特尔科迪亚技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]