具有突出底部电极的铁电存储器件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种铁电存储器件及其形成方法。该铁电存储器件的形成包括：在具有导电区的衬底上形成绝缘层；在该绝缘层上形成电连接到该导电区的底部电极；对该绝缘层进行挖槽；以及在该挖槽的绝缘层上形成用于覆盖该底部电极的铁电层和上部电极层。该底部电极突出在该挖槽的绝缘层的上表面之上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地说，本专利技术涉及铁电存储 器件及其形成方法。
技术介绍
通常，可以将半导体存储器件划分为易失性存储器件和非易失性 存储器件。切断电源，易失性存储器件丢失数据，而非易失性存储器 件即使切断电源仍可以保持存储数据。铁电存储器件或者铁电随机存取存储(FRAM)器件是一种非易 失性存储器件，而且不丢失存储数据，因为铁电材料具有自发极化特 性。因此，该FRAM器件可以具有突出的数据保存特性。此外，与其 他非易失性存储器件相比，FRAM器件可以以较低功率工作，而且可 以显著提高输入该FRAM和从该FRAM输出的数据量。铁电存储器件可以具有包括底部电极、铁电图形和上部电极的电 容器。为了形成该电容器，形成底部电极层、铁电层、上部电极层以 及掩模层，然后，利用该掩模层作为蚀刻掩模对上部电极层、铁电层 以及底部电极层进行蚀刻处理。然而，当在形成了上部电极层和铁电 层后蚀刻该底部电极层时，该上部电极和铁电图形的侧壁可能逐渐塌 陷，以致该电容器的侧壁倾角可能从约80度下降到约60度。在以高温蚀刻该铁电层时，在高温蚀刻处理期间，不能完全保护该铁电层， 以致该铁电图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成铁电存储器件的方法，包括：在具有导电区的衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层内形成电连接到所述导电区的底部电极；对所述绝缘层进行挖槽；以及在所述挖槽的绝缘层上形成用于覆盖所述底部电极的铁电层和上部电极层；其中，所述底部电极突出在所述挖槽的绝缘层的上表面之上。

【技术特征摘要】
KR 2007-1-8 10-2007-00020891.一种用于形成铁电存储器件的方法，包括在具有导电区的衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层内形成电连接到所述导电区的底部电极；对所述绝缘层进行挖槽；以及在所述挖槽的绝缘层上形成用于覆盖所述底部电极的铁电层和上部电极层；其中，所述底部电极突出在所述挖槽的绝缘层的上表面之上。2.根据权利要求l所述的方法，其中，形成所述绝缘层包括: 在所述衬底上形成层间介质层；以及 在所述层间介质层上形成阻挡层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述底部电极包括 构图所述层间介质层和所述阻挡层，以形成露出所述导电区的开卩；形成与所述开口的下部区域内的所述导电区相接触的底部电极接 触；以及利用导电材料填充所述底部电极接触上的所述开口 。4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述底部电极包括 构图所述层间介质层，以形成露出所述导电区的第一开口； 形成与所述第一开口内的导电区相接触的底部电极接触； 在形成有所述底部电极接触的层间介质层上形成阻挡层； 构图所述阻挡层，以形成露出所述底部电极接触的第二开口；以及利用导电材料填充所述第二开口 。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。6. 根据权利要求2所述的方法，其中，对所述绝缘层挖槽包括对 所述阻挡层进行挖槽。7. 根据权利要求l所述的方法，其中，形成所述绝缘层包括 在所述衬底上形成层间介质层； 在所述层间介质层上形成阻挡层；以及 在所述阻挡层上形成牺牲绝缘层。8. 根据权利要求7所述的方法，其中形成所述底部电极包括-构图所述层间介质层、所述阻挡层以及所述牺牲绝缘层，以形成露出所述导电区的开口；形成与所述开口的下部区域内的所述导电区相接触的底部电极接 触；以及利用导电材料填充所述底部电极接触上的开口 。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：崔锡宪，洪昌基，李埈泳，金重铉，尹煋圭，林钟欣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]