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本发明披露了显示极佳抗疲劳和印记的铁电电容器异质结构，包括高导电性铂（１４）与结晶金属氧化物（１５）的混合电极和无需插入结晶定向模板的淀积于Ｓｉ－ＣＭＯＳ－相容的衬底（１１）上的铁电材料（１６）。...
该专利属于特尔科迪亚技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过特尔科迪亚技术股份有限公司授权不得商用。

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