光电转换元件制造技术

光电转换元件，具有基片、表面结构不均匀的不导电层、第一掺杂层、ｉ层、第二掺杂层，和上导电层，ｉ层含有相对于基片法线倾斜的斜方晶粒。改进的特征包括光电转换效率、开路电压、短路光电流、低照明度下的开路电压、和漏电流。此外，在户外的暴露试验、机械强度，和长期的光照射中，耐用性增强。而且，极大地降低了光电转换元件的成本。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对下导电层的表面结构、i层晶体结构，和掺杂层的结构进行了改进的非单晶光电转换元件。迄今为止，研究表明将非单晶半导体的pin结引入到光电转换元件中可以增加光电转换效率并可改善光衰减(optical degradation)。众所周知，增加掺杂层中的掺杂剂浓度会降低掺杂层中的激活能，从而增加pin结的内建电势并增加元件的开路电压。同样公知，i型半导体层使用微晶材料可以改善光衰减。据报道，通过采用VHF(70MHz)的等离子增强CVD工艺，使用微晶硅(μc-Si)的太阳能电池可以获得4.6％的光电转换效率，并且太阳能电池根本没有光衰减，这可在IEEE WCPEC；1994 Hawaii，p409 J.Meier，A.Shah的INTRINSIC MICROCRYSTALLINE(μc-SiH)-A PROMISING NEWTHIN FILM SOLAR CELL MATERIAL，中看到。此外，层叠型太阳能电池是将无定形硅与微晶硅结合制造的，并获得9.1％的初始光电转换效率。同样公知，透明的导电层插在接触金属层的基片和半导体层之间。这可防止金属层中的元素扩散或迁移到半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换元件，包括基片、下导电层、第一掺杂层、ｉ层、第二掺杂层，和上导电层，其中所述下导电层的表面为不均匀表面，所述ｉ层含有斜方晶粒，斜方晶粒的轴向相对于所述基片的法线倾斜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-9-19 247838/961.一种光电转换元件，包括基片、下导电层、第一掺杂层、i层、第二掺杂层，和上导电层，其中所述下导电层的表面为不均匀表面，所述i层含有斜方晶粒，斜方晶粒的轴向相对于所述基片的法线倾斜。2.根据权利要求1的光电转换元件，其中斜方晶粒的整个体积相对于i层的整个体积的百分比为70％或以上，每个斜方晶粒具有20°以下下面定义的角度；所述角度为穿过斜方晶粒并平行它的轴向的直线A和穿过斜方晶粒A的直线B之间的角度，该直线B取自第一掺杂层和所述i层间的界面1与第二掺杂层和i层间的界面2间的最短直线。3.根据权利要求1的光电转换元件，其中位于基片和半导体层之间的下导电层在大约几十微米的长度内的表面粗糙度Ra在大于0.1μm小于等于1μm的范围内。4.根据权利要求1的光电转换元件，其中所述下导电层表面的微小区域内的法线与基片主平面的法线间的夹角大于等于15°小于等于45°的区域占整个表面区域的80％或以上。5.根据权利要求1的光电转换元件，其中所述斜方晶粒的轴向长度在大于等于10埃小于等于0.3μm之间。6.根据权利要求1的光电转...

【专利技术属性】
技术研发人员：狩谷俊光，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]