【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种太阳能电池的制造工艺。更具体地说，本专利技术涉及一种太阳能电池的制造工艺，该工艺适用于一种在一个便宜的基底上层叠多晶硅薄膜而构成的太阳能电池。太阳能电池得到了广泛的研究，且有些已经进入了实际的应用，用作各种装置的驱动能源或用作与商业电源系统相连的电源。在成本方面对太阳能电池的一个要求，是能够在象金属的便宜基底上形成元件。另一方面，硅通常被用作制造太阳能电池的半导体材料。其中，从把光能转换成电动势的效率的角度看，即从光电转换效率的角度看，单晶硅是最优异的。但是，据称从面积的增大和成本的降低的观点看，非晶硅是更为有利的。近年来，正在对多晶硅的使用进行研究，以实现比非晶硅更低的成本和比单晶硅更高的效率。在对于这种单晶硅和多晶硅所提出的传统方法中，通过对大块的晶体进行切片而获得片状基底。因而不容易把基底的厚度减小到0.3mm以下。因此，基底的厚度大于有效地吸收光通量所需的厚度，且材料的有效利用是不充分的。即，需要使基底更薄，以进一步降低成本。通过采用一种将一滴液态熔融硅滴注入到一个模中的回旋方法以制备一个硅片的方法，是作为一种目的在于降低成本的多晶...
【技术保护点】
太阳能电池的一种制造工艺，包括一个采用金属溶剂利用液相生长方法在晶体硅基底上形成硅层的步骤，其中所述晶体硅基底的一个表面的杂质的总浓度为１０ｐｐｍ或更高且其中所述金属溶剂是铟。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-9-19 248217/961.太阳能电池的一种制造工艺，包括一个采用金属溶剂利用液相生长方法在晶体硅基底上形成硅层的步骤，其中所述晶体硅基底的一个表面的杂质的总浓度为10ppm或更高且其中所述金属溶剂是铟。2.根据权利要求1的太阳能电池制造工艺，其中所述液相生长方法是在氢的环境下进行的。3.根据权利要求1或2的太阳能电池制造工艺，其中所述晶体硅基底由包含10ppm或更多杂质的金属级品位硅构成。4.一种太阳能电池制造工艺，它包括一个熔化和固化置于一个模具中的金属级品位硅颗粒的步骤，以及一个利用铟采用液相生长方法在所述金属级品位硅基底的一个表面上形成硅层的步骤。5.根据权利要求4的太阳能电池制造工艺，其中用于所述模具的材料是从包含石墨、碳化硅和氮化硅的一个组中选出的。6.根据权利要求4或5的太阳能电池制造工艺，其中所述模具将要与所述金属级品位硅基底相接触的表面涂有包含至少氮化硅的模具释放剂。7.一种...
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