一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法，有源区之间设有STI沟槽；有源区上形成有第一SiN层；在STI沟槽填充氧化物，氧化物覆盖在有源区上的第一SiN层上方；对填充了氧化物的STI沟槽退火；第一次化学机械研磨使STI沟槽上的氧化物平坦化；在平坦化后的氧化物上形成第二SiN层；对第二SiN层进行第二次化学机械研磨，使其表面平坦化；刻蚀第二SiN层和氧化物至露出第一SiN层上表面为止；保持氧化物与第一SiN层上表面高度一致；选择氧化物与第一SiN层刻蚀比大于1的刻蚀条件，刻蚀氧化物使多个有源区上的第一SiN层高度一致。本发明专利技术通过STI两次CMP工艺来改善不同图形结构之间台阶高度的不一致，以便提高后期工艺的窗口，提高器件的性能。器件的性能。器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法。

技术介绍

[0002]目前工艺中不同结构形成的台阶高度(Step Height)均匀性主要是通过STI平坦化(CMP)调节，由于CMP工艺特性会使得不同图形结构(Pattern loading)之间的Step Height有差异，在后续的工艺中多晶硅落在不同图形结构的有源区和STI区上产生高度不一致的现象，进而会影响器件的电性结果。
[0003]因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法，用于解决现有技术中由于不同图形结构台阶高度的差异导致影响器件性能的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法，至少包括：
[0006]步骤一、提供晶圆，所述晶圆上设有多个有源区，所述有源区之间设有STI沟槽；所述有源区上形成有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，所述晶圆上设有多个有源区，所述有源区之间设有STI沟槽；所述有源区上形成有第一SiN层；在所述STI沟槽填充氧化物，并且所述氧化物覆盖在所述有源区上的第一SiN层上方；之后对填充了所述氧化物的所述STI沟槽进行退火；步骤二、进行第一次化学机械研磨，使所述STI沟槽上的所述氧化物平坦化；步骤三、在平坦化后的所述氧化物上形成第二SiN层；步骤四、对所述第二SiN层进行第二次化学机械研磨，使其表面平坦化；步骤五、刻蚀所述第二SiN层和所述氧化物至露出所述第一SiN层上表面为止；并且保持所述氧化物与所述第一SiN层上表面高度一致；步骤六、选择所述氧化物与所述第一SiN层刻蚀比大于1的刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李博文，王昌锋，马雁飞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：