半导体器件的制备方法及半导体器件技术

本公开是关于一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括浅沟槽及所述浅沟槽隔离出的有源区；在所述浅沟槽及所述有源区暴露的外表面形成含氧层；在表面包括所述含氧层的所述浅沟槽内填充设定高度的第一牺牲层，所述设定高度低于所述有源区的高度；在所述第一牺牲层的上表面形成刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层下方的所述第一牺牲层，以形成空气间隔；在所述浅沟槽中所述刻蚀停止层之上填充隔离层，以形成包含所述空气间隔的浅沟槽隔离结构；刻蚀所述有源区和所述浅沟槽隔离结构，以形成字线沟槽，其中所述浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的底部高于所述设定高度。高度。高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法及半导体器件


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件的制 备方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]在亚微米技术中，浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)结构 已取代了其它半导体器件隔离方法，例如需要更多宝贵面积的硅局部氧 化隔离(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)技术。
[0003]在浅沟槽隔离工艺中，在半导体有源区(Active Area，例如可以用 于形成栅极和源极/漏极)之间的半导体衬底中形成浅沟槽，并使 MOSFET彼此电隔离。浅沟槽填充有绝缘材料，例如氧化硅，以提供电 绝缘。
[0004]相关技术中，在形成WL(wordline，字线)沟槽时，由于刻蚀选择 比，导致在有源区与STI中形成的WL沟槽的深度不同，从而使得沉积 形成的WL的金属栅极在WL沟槽的底部的深度不同，导致STI中的金 属栅极容易与有源区以及邻近的栅极发生耦合作用，形成寄生电容，进 而导致漏电流现象的发生。
[0005]此外，金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括浅沟槽及所述浅沟槽隔离出的有源区；在所述浅沟槽及所述有源区暴露的外表面形成含氧层；在表面包括所述含氧层的所述浅沟槽内填充设定高度的第一牺牲层，所述设定高度低于所述有源区的高度；在所述第一牺牲层的上表面形成刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层下方的所述第一牺牲层，以形成空气间隔；在所述浅沟槽中所述刻蚀停止层之上填充隔离层，以形成包含所述空气间隔的浅沟槽隔离结构；刻蚀所述有源区和所述浅沟槽隔离结构，以形成字线沟槽，其中所述浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的底部高于所述设定高度。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度处于2nm至10nm的范围之内。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的底部和所述有源区内的字线沟槽的底部均与所述刻蚀停止层的上表面齐平。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一牺牲层的上表面形成刻蚀停止层，包括：在所述第一牺牲层的上表面和对应所述有源区的所述含氧层暴露的外表面，形成刻蚀停止层。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述刻蚀停止层下方的所述第一牺牲层，以形成空气间隔，包括：在所述浅沟槽中形成刻蚀孔，所述刻蚀孔贯穿所述刻蚀停止层；通过所述刻蚀孔灌入刻蚀液至所述第一牺牲层内，湿法刻蚀所述刻蚀停止层下方的所述第一牺牲层。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述浅沟槽中形成刻蚀孔，包括：在所述浅沟槽内所述刻蚀停止层之上填充第二牺牲层，所述第二牺牲层的上表面和所述有源区的上表面齐平；在所述第二牺牲层和所述有源区的上方形成图案化的掩膜层，所述掩膜层在所述半导体衬底的边缘区域形成有暴露第二牺牲层的通孔；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二牺牲层形成连通所述通孔的刻蚀孔，且所述刻蚀孔贯穿所述刻蚀停止层；去除所述掩膜层。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张魁，应战，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：