温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开是关于一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括浅沟槽及所述浅沟槽隔离出的有源区；在所述浅沟槽及所述有源区暴露的外表面形成含氧层；在表面包括所述含氧层的所述浅沟槽内填充设定...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。